Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



D-S Arkusz danych, PDF

Pacific Silicon Sensor,Inc.(1)Panasonic Battery Group(2)Panasonic Semiconductor(93)PANDUIT CORP.(6)Pasternack Enterprises, Inc.(292)PCA ELECTRONICS INC.(13)Pepperl+Fuchs Inc.(12)Pericom Semiconductor Corporation(19)PETERMANN-TECHNIK(1)PHOENIX CONTACT(1218)PLX Technology(12)PMC-Sierra, Inc(56)Pomona Electronics(1)Potato Semiconductor Corporation(6)Power Analog Micoelectronics(22)Powerbox(101)PowerDynamics, Inc(12)Premier Magnetics, Inc.(2)Princeton Technology Corp(19)Projects Unlimited, Inc.(66)Protek Devices(5)Pulse A Technitrol Company(18)Qorvo, Inc(8)QT Optoelectronics(1)Qualtek Electronics Corporation(2)Ralston Instruments.(6)Realtek Semiconductor Corp.(15)Recom International Power(2)Rectron Semiconductor(2)Red Lion Controls. Inc(1)Renesas Technology Corp(373)RFE international(1)Rhombus Industries Inc.(59)RHOPOINT COMPONENTS(3)Richco, Inc.(1)Richtek Technology Corporation(7)Rohde & Schwarz (Australia) Pty Ltd(1)Rohm(97)Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG(5)SamHop Microelectronics Corp.(22)Samsung semiconductor(22)Samtec, Inc(3)Sanyo Semicon Device(71)Schneider Electric(4098)SCHOTT CORPORATION(3)Schurter Inc.(15)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(2)Seiko Instruments Inc(2)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)SG Micro Corp(1)Shanghai awinic technology co.,ltd(4)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(1)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(13)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(1)Sharp Corporation(19)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(26)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(3)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(25)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(1)Shenzhen Naxinwei Technology Co., Ltd.(7)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(14)Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd(2)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(57)Shenzhenshi YONGFUKANG Technology co.,LTD(32)SHIELD s.r.l.(1)SHIKUES Electronics(8)SHOUDING Shouding Semiconductor(4)Shunye Enterprise(1)Siemens Semiconductor Group(26)SiGe Semiconductor, Inc.(7)SIKA BUILDING TRUST(2)Silan Microelectronics Joint-stock(3)Silicon image(1)Silicon Laboratories(32)Silicon Mitus, Inc.(1)Silicon Motion Technology Corp.(3)SIPAT Co,Ltd(1)Sipex Corporation(17)Sirectifier Global Corp.(1)Skyworks Solutions Inc.(19)SL Power Electronics(2)SMC Diode Solutions Co. LTD(5)SMSC Corporation(4)Sonardyne sound in depth(2)Sony Corporation(69)Source Photonics, Inc.(15)SPANSION(8)SparkFun Electronics(24)Standex Electronics, Inc.(2)STMicroelectronics(429)Sumida Corporation(9)Surge Components(1)SUYIN USA, INC.(51)Suzhou Everest Semiconductor Co. Ltd.(6)Suzhou HangJing Electronic Technology Co., LTD(4)Switchcraft, Inc.(4)Synaptics Incorporated.(1)System Logic Semiconductor(20)Taiwan Memory Technology(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(3)Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc(530)TDK Electronics(12)TE Connectivity Ltd(26)TECH PUBLIC Electronics co LTD(25)TelCom Semiconductor, Inc(7)Teledyne Technologies Incorporated(1)TEMEX(1)Teridian Semiconductor Corporation(2)TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS(3)Texas Instruments(849)Texas Instruments(808)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(1)THOR communications(3)Tiger Electronic Co.,Ltd(1)TiMOTION Technology Co. Ltd.(2)Tontek Design Technology(1)Torex Semiconductor(5)Toshiba Semiconductor(285)Total Power International(2)TRACO Electronic AG(6)Transcend Information. Inc.(2)Transko Electronics, Inc.(9)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(2)Tripp Lite. All Rights Reserved(116)TriQuint Semiconductor(47)Tyco Electronics(101)
More
Szukane słowo kluczowe : 'D-S' - wyników: 3 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Taiwan Semiconductor Co...
TSM2537CQ Datasheet pdf image
443Kb/9P
N- and P-Channel 20V (D-S) Power MOSFET
TSM8568CS Datasheet pdf image
612Kb/11P
N- and P-Channel 30V (D-S) Power MOSFET
TSM5055DCR Datasheet pdf image
398Kb/9P
Asymmetric Dual N-Channel 30V (D-S) Power MOSFET

1


1



Co to jest D-S


D-S jest jednym z terminów powszechnie stosowanych w elementach elektronicznych.

D-S oznacza źródło drenażu i jest stosowane w urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFET (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku).

MOSFET jest jednym z reprezentatywnych urządzeń półprzewodników i służy do kontroli prądu zgodnie z napięciem.

MOSFET ma trzy piny: brama, odpływ i źródło, wśród których D-S reprezentuje odległość między drenażem a źródłem.

Odległość D-S jest jednym z czynników, które mają istotny wpływ na charakterystykę MOSFET.

Zmniejszenie tej odległości zwiększa wytrzymałość napięcia na urządzeniu, co zwiększa prędkość i wydajność MOSFET.

Dlatego odległość D-S jest jednym z ważnych czynników określających wydajność MOSFET.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com