D-S Datasheet(PDF) - CJL3415 - Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

D-S Arkusz danych, PDF

: Fairchild Semiconductor(382)Fangtek Ltd.(8)Faraday Technology(3)FCI connector(131)Ferroxcube International Holding B.V.(1)Filtran LTD(17)Finisar Corporation.(171)First Components International(2)First Silicon Co., Ltd(18)Freescale Semiconductor, Inc(6)Fronter Electronics Co., Ltd.(2)FSP TECHNOLOGY INC.(1)Fuji Electric(23)Fujitsu Component Limited.(62)Future Technology Devices International Ltd.(1)Gamewell-FCI by Honeywell(1)Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.(3)General Cable Technologies Corporation(1)GeneSiC Semiconductor, Inc.(1)GENESYS LOGIC(2)Gennum Corporation(14)Glenair, Inc.(211)Global Mixed-mode Technology Inc(1)GPB International Limited.(4)Greystone Energy Systems Inc.(1)GSI Technology(19)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(77)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(37)Guangzhou Tengyi Electronics Co., Ltd.(1)Hamamatsu Corporation(14)HAMLIN Position and Movement Sensor Solutions(2)Hammond Manufacturing Ltd.(7)Harris Corporation(1)HARTING Technology Group(286)Harwin Plc(2)Henkel Korea Limited.(1)Highly Electric Co., Ltd(1)Hirose Electric(9)Hitachi Semiconductor(68)Hittite Microwave Corporation(30)Holt Integrated Circuits(1)Holtek Semiconductor Inc(181)Honeywell Solid State Electronics Center(2)HOPE Microelectronics CO., Ltd.(1)Hubbell Incorporated.(1)Huber+Suhner, Inc.(1)HVVi Semiconductors, Inc.(11)Hynix Semiconductor(9)IBM(1)IC-Haus GmbH(15)IEI Integration Corp.(1)IK Semicon Co., Ltd(39)Inchange Semiconductor Company Limited(1)Infineon Technologies AG(74)Insel Rectifier India Pvt. Ltd.(1)Integral Corp.(41)Integrated Circuit Solution Inc(1)Integrated Circuit Systems(15)Integrated Device Technology(52)Integrated Silicon Solution, Inc(16)Intel Corporation(5)InterFET Corporation(1)International Rectifier(57)Interpoint Corporation Company(1)Intersil Corporation(302)Intronics Power, Inc.(2)IOGEAR(4)ISOCOM COMPONENTS(4)ITT Industries(139)IXYS Corporation(3)Japan Automatic Machine Co., Ltd.(4)Japan Aviation Electronics Industry, Ltd.(17)JDS Uniphase Corporation(16)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(31)Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd(12)Jiaxing Heroic Technology Co.,Ltd.(11)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(7)JMicron Technology Corporation(4)Johanson Technology Inc.(3)
: More Close

Szukane słowo kluczowe : 'D-S' - wyników: 31 (1/2) Pages

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Jiangsu Changjiang Elec...	CJL3415	797Kb/5P	P-Channel 20V(D-S) MOSFET
	CJ2307	1Mb/5P	P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	BSS138	1Mb/5P	N-Channel 50-V(D-S) MOSFET
	CJ2301B	1Mb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJA9452	998Kb/5P	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJD4435	1Mb/4P	P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	CJK3407	733Kb/5P	P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	CJQ4953	2Mb/5P	P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	CJ2301S	1Mb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ2302S	1Mb/5P	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ4153	1Mb/5P	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJA9451	1,000Kb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ2302	1Mb/5P	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ2312	1Mb/5P	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ2321	1Mb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJ3415	1Mb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
	CJD4410	436Kb/4P	N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	CJK2305	931Kb/5P	P-Channel 8-V(D-S) MOSFET
	CJU4410	2Mb/5P	N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
	CJK3415	913Kb/5P	P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

1 2 >

1 2 >

Co to jest D-S

D-S jest jednym z terminów powszechnie stosowanych w elementach elektronicznych.

D-S oznacza źródło drenażu i jest stosowane w urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFET (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku).

MOSFET jest jednym z reprezentatywnych urządzeń półprzewodników i służy do kontroli prądu zgodnie z napięciem.

MOSFET ma trzy piny: brama, odpływ i źródło, wśród których D-S reprezentuje odległość między drenażem a źródłem.

Odległość D-S jest jednym z czynników, które mają istotny wpływ na charakterystykę MOSFET.

Zmniejszenie tej odległości zwiększa wytrzymałość napięcia na urządzeniu, co zwiększa prędkość i wydajność MOSFET.

Dlatego odległość D-S jest jednym z ważnych czynników określających wydajność MOSFET.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com