Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 119 (1/6) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Ledil, Inc.
CP13665 Datasheet pdf image
2Mb/6P
~25째 diffused beam
CP13666 Datasheet pdf image
2Mb/5P
~25째 diffused beam.
FCP14966 Datasheet pdf image
6Mb/7P
~18째 diffused spot beam
FCP15345 Datasheet pdf image
6Mb/5P
~18째 diffused spot beam
FCA15450 Datasheet pdf image
7Mb/6P
~18째 diffused spot beam
C15013 Datasheet pdf image
6Mb/6P
~7째 diffused spot beam
CA13629 Datasheet pdf image
8Mb/10P
~13째 diffused spot beam.
CP17588 Datasheet pdf image
1Mb/4P
~14째 diffused spot beam
CA16707 Datasheet pdf image
1Mb/4P
~15째 diffused spot beam
CP17593 Datasheet pdf image
1Mb/4P
~16째 diffused spot beam
FA11205 Datasheet pdf image
2Mb/7P
~16째 diffused spot beam.
CA15519 Datasheet pdf image
5Mb/5P
~15째 diffused spot beam
C12491 Datasheet pdf image
2Mb/5P
~145째 wide diffused beam
CA13014 Datasheet pdf image
1Mb/6P
~145째 wide diffused beam
CA14308 Datasheet pdf image
3Mb/5P
~16째 diffused spot beam
CP14996 Datasheet pdf image
8Mb/8P
~18째 diffused spot beam
CN17274 Datasheet pdf image
5Mb/4P
~50째 diffused wide beam. 4X1 variant in glossy white with diffused lenses.
CP12818 Datasheet pdf image
2Mb/4P
~16째 diffused spot beam optimized
CP12671 Datasheet pdf image
2Mb/4P
~16째 diffused spot beam optimized
DAISY-MINI-WW-D Datasheet pdf image
333Kb/4P
~65째 wide beam. Variant with diffused lenses

1 2 3 4 5 6 >


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com