Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 15 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
WeEn Semiconductors
BUJ105AD Datasheet pdf image
1Mb/10P
Silicon diffused power transistor
PHE13007 Datasheet pdf image
342Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ105A Datasheet pdf image
391Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJD103AD Datasheet pdf image
830Kb/10P
Silicon diffused power transistor
PHE13005 Datasheet pdf image
488Kb/13P
Silicon diffused power transistor
BUJ100 Datasheet pdf image
399Kb/10P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A Datasheet pdf image
340Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403A Datasheet pdf image
337Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ105AB Datasheet pdf image
460Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ303B Datasheet pdf image
352Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13009 Datasheet pdf image
282Kb/8P
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13005X Datasheet pdf image
507Kb/14P
Silicon diffused power transistor
BUJ103A Datasheet pdf image
504Kb/14P
Silicon diffused power transistor
BUJ103AD Datasheet pdf image
830Kb/10P
Silicon diffused power transistor
BUJ103AX Datasheet pdf image
293Kb/9P
Silicon Diffused Power Transistor

1


1



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com