Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 51 (1/3) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Siemens Semiconductor G...
LSS260 Datasheet pdf image
64Kb/7P
SOT-23 LED, Diffused
LUS250 Datasheet pdf image
441Kb/7P
SOT-23 MULTILED, Diffused
RP-12C Datasheet pdf image
33Kb/1P
mask-diffused gaasp led
LSG3351 Datasheet pdf image
332Kb/7P
3 mm (T1) MULTILED, Diffused
RM-81B Datasheet pdf image
54Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-85D Datasheet pdf image
55Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-15B Datasheet pdf image
37Kb/1P
mask-diffused gaasp monlithic led
LR3360 Datasheet pdf image
229Kb/8P
3 mm (T1) LED, Diffused
RM-64A Datasheet pdf image
42Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
RM-73A Datasheet pdf image
39Kb/1P
mask-diffused gaasp monolithic led
LSG3331 Datasheet pdf image
331Kb/7P
3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused
LRZ18X Datasheet pdf image
401Kb/7P
Array LED 2 mm LED, Diffused
LS3340 Datasheet pdf image
520Kb/8P
3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSU260 Datasheet pdf image
376Kb/7P
Mini LED 1 mm LED, Diffused
LR5360 Datasheet pdf image
433Kb/8P
5 mm (T1 3/4) LED, Diffused
LSP380 Datasheet pdf image
270Kb/8P
Plane 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LR5460 Datasheet pdf image
430Kb/8P
5 mm (T1 3/4) LED, Diffused
LU5351 Datasheet pdf image
325Kb/7P
5 mm (T1 3/4) MULTILED , Diffused
LS5420 Datasheet pdf image
350Kb/7P
5 mm (T1 3/4) LED, Non Diffused
LSPP370 Datasheet pdf image
536Kb/9P
Plane MULTILED 3 mm T1 LED, Non Diffused

1 2 3 >


1 2 3 >



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com