Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 17 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Unisonic Technologies
BU508AFI Datasheet pdf image
84Kb/2P
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
KTD863 Datasheet pdf image
137Kb/3P
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
BU208A Datasheet pdf image
54Kb/2P
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
BU508AFI Datasheet pdf image
80Kb/2P
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
KTD863 Datasheet pdf image
137Kb/3P
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
BU208A Datasheet pdf image
57Kb/2P
SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
2SC4467 Datasheet pdf image
169Kb/4P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
2SC4467 Datasheet pdf image
174Kb/4P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
2SC4466 Datasheet pdf image
128Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
2SC4466 Datasheet pdf image
122Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
ULB121 Datasheet pdf image
185Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
HLB122 Datasheet pdf image
130Kb/3P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
HLB121 Datasheet pdf image
129Kb/2P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ULB122 Datasheet pdf image
182Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ULB121 Datasheet pdf image
185Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ULB122 Datasheet pdf image
182Kb/4P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PCR406 Datasheet pdf image
64Kb/2P
UTC PCR406 silicon controlled rectifiers are high performance planner diffused PNP devices

1


1



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com