Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 25 (1/2) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Guangdong Kexin Industr...
2SC4499S Datasheet pdf image
39Kb/1P
Silicon NPN Triple Diffused
2SC3233 Datasheet pdf image
42Kb/1P
NPN Silicon Triple Diffused
KTC4372 Datasheet pdf image
50Kb/1P
Triple Diffused NPN Transistor
2SB1667 Datasheet pdf image
45Kb/2P
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SC3588-Z Datasheet pdf image
40Kb/1P
NPN Silicon Triple Diffused Transistor
2SC3138 Datasheet pdf image
37Kb/1P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC3496A Datasheet pdf image
40Kb/1P
NPN Silicon Triple Diffused Transistor
2SA1971 Datasheet pdf image
54Kb/1P
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SD2414 Datasheet pdf image
42Kb/2P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SA1255 Datasheet pdf image
37Kb/1P
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SC3405 Datasheet pdf image
43Kb/1P
NPN Silicon Triple Diffused Transistor
2SC4497 Datasheet pdf image
36Kb/1P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5356 Datasheet pdf image
44Kb/2P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC4597 Datasheet pdf image
48Kb/2P
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC4602 Datasheet pdf image
48Kb/2P
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4599 Datasheet pdf image
48Kb/2P
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SB1409S Datasheet pdf image
40Kb/1P
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor
2SC4412 Datasheet pdf image
38Kb/1P
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4616 Datasheet pdf image
44Kb/2P
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor
2SC5355 Datasheet pdf image
44Kb/2P
Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type

1 2 >


1 2 >



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com