Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 144 (1/8) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
LUMEX INC.
SSL-LX100139IGW Datasheet pdf image
69Kb/1P
Milky White Diffused
SSL-LXA227GD Datasheet pdf image
44Kb/1P
Axial LED, Green DIffused
SSL-LXA227GD-5V Datasheet pdf image
35Kb/1P
Axial LED, Green DIffused
SSL-LXA227ID Datasheet pdf image
36Kb/1P
Axial LED, Red DIffused
SSL-LX20465ID Datasheet pdf image
47Kb/2P
T-2mm TAPER BODY LED, TOP DIFFUSED, 635mm RED LED, REDTOP DIFFUSED
SSL-LX3044LGD-TR Datasheet pdf image
72Kb/1P
T-3 LED, GREEN DIFFUSED
SSF-LXH240SBDYGW Datasheet pdf image
70Kb/1P
130mm SUPER BLUE DIFFUSED LED
SSI-LX5093GD-150 Datasheet pdf image
57Kb/1P
T-5mm LED GREEN DIFFUSED
SSI-LX5093LID-380 Datasheet pdf image
92Kb/1P
T-5mm LED, RED DIFFUSED LED
SSL-LX100133ID Datasheet pdf image
343Kb/1P
T-3 Led, Red Diffused Lens
SSL-LXA228GD-TR11 Datasheet pdf image
113Kb/1P
Axial LED 56mm GREEN DIFFUSED LENS
SSL-LX3052YD Datasheet pdf image
60Kb/1P
T-3mm 585mm YELLOW DIFFUSED LENS
SSI-LX5093LYD-380 Datasheet pdf image
84Kb/1P
T-5mm LED, YELLOW DIFFUSED LED
SSL-LX3044GGD Datasheet pdf image
86Kb/1P
T-3 LED, GREEN DIFFUSED LENS
SSL-LX100133GD Datasheet pdf image
40Kb/1P
T-3 Led, Green Diffused Lens
SSI-LX5093LGD-380 Datasheet pdf image
58Kb/1P
T-5mm LED, GREEN DIFFUSED LED
SSL-LX3054BGD Datasheet pdf image
50Kb/1P
T-1 Green BLINKING LED, GREEN DIFFUSED
LDD-C5646RI Datasheet pdf image
47Kb/1P
660nm REDCHIPS WITH MILKY WHITE DIFFUSED SEGMENTS
SSL-LX5093YD-TR Datasheet pdf image
98Kb/1P
T-5mm LED, YELLOW DIFFUSED TOPA & REEL
SSI-LXR5093GD Datasheet pdf image
71Kb/1P
T-1 3/4 AMBER DIFFUSED LED

1 2 3 4 5 6 7 8 >


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com