Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 46 (1/3) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
New Jersey Semi-Conduct...
VF5 Datasheet pdf image
91Kb/1P
Diffused Silicon Junction
1N2069 Datasheet pdf image
129Kb/1P
DIFFUSED-JUNCTION SILICON RECTIFIERS
2N332 Datasheet pdf image
148Kb/1P
NPN Silicon Diffused Transistors
2N1722 Datasheet pdf image
163Kb/1P
Triple Diffused Power Transistors
1N4383 Datasheet pdf image
117Kb/1P
DIFFUSED-JUNCTION SILICON RECTIFIER
VA-10 Datasheet pdf image
93Kb/2P
High Voltage Diffused Rectifiers
2SC2770 Datasheet pdf image
100Kb/1P
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
2SC510 Datasheet pdf image
196Kb/3P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
2N681 Datasheet pdf image
145Kb/1P
DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER
2SC2315 Datasheet pdf image
200Kb/1P
Silicon NPN Triple Diffused Mesa
2SC2200 Datasheet pdf image
144Kb/1P
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
BY707-1 Datasheet pdf image
81Kb/1P
High Voltage Diffused Silicon Rectifiers
2SC2914 Datasheet pdf image
488Kb/2P
SILCON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
BU508A Datasheet pdf image
878Kb/2P
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR
1N662 Datasheet pdf image
102Kb/1P
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N659 Datasheet pdf image
113Kb/1P
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
VF5-5 Datasheet pdf image
528Kb/1P
HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS
1N458 Datasheet pdf image
101Kb/2P
LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
1N459 Datasheet pdf image
88Kb/1P
LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
2N3380 Datasheet pdf image
104Kb/1P
P-CHANNEL DIFFUSED SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTOR

1 2 3 >


1 2 3 >



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com