Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 2601 (4/131) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Ningbo Foryard Optoelec...
FYL-25A3ED1B Datasheet pdf image
267Kb/5P
Red diffused led
FYL-25A3ED1A Datasheet pdf image
267Kb/5P
Red diffused led
FYL-25A3GD1A Datasheet pdf image
268Kb/5P
Green diffused led
FYL-55A3SURW1A Datasheet pdf image
268Kb/5P
White diffused led
FYL-55A3SUYW1A Datasheet pdf image
268Kb/5P
White diffused led
FYL-4354UWW1A-S2 Datasheet pdf image
276Kb/5P
White diffused led
FYL-5012AD1C Datasheet pdf image
272Kb/5P
Amber diffused led
FYL-5012ED1C Datasheet pdf image
270Kb/5P
Red diffused led
FYL-5013PUYD1C Datasheet pdf image
272Kb/5P
Yellow diffused led
FYL-5019EGW1B-CC Datasheet pdf image
277Kb/5P
White diffused led
Company Logo Img
Marl International Limi...
103-305-04 Datasheet pdf image
208Kb/5P
Colour diffused lens
534-501-7512 Datasheet pdf image
382Kb/5P
Colour diffused lens
611-301-21 Datasheet pdf image
450Kb/5P
Colour diffused lens
643-503-0412 Datasheet pdf image
401Kb/4P
Colour diffused lens
Company Logo Img
Wing Shing Computer Com...
2SD1577 Datasheet pdf image
138Kb/1P
Silicon Diffused Power Transistor
Company Logo Img
Hitachi Semiconductor
2SD2300 Datasheet pdf image
32Kb/5P
Silicon NPN Triple Diffused
2SB859 Datasheet pdf image
32Kb/5P
Silicon PNP Triple Diffused
2SD1606 Datasheet pdf image
35Kb/6P
Silicon NPN Triple Diffused
2SD2107 Datasheet pdf image
32Kb/6P
Silicon NPN Triple Diffused
2SB955 Datasheet pdf image
35Kb/6P
Silicon PNP Triple Diffused

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


< 1 2 3 4 5 > >>



Co to jest DIFFUSED


W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com