DIFFUSED Datasheet(PDF) - 2SC1881 - Hitachi Semiconductor

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

DIFFUSED Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'DIFFUSED' - wyników: 2601 (5/131) Pages

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Hitachi Semiconductor	2SC1881	35Kb/6P	Silicon NPN Triple Diffused
	2SC2611	30Kb/6P	Silicon NPN Triple Diffused
	2SC4499	39Kb/8P	Silicon NPN Triple Diffused
NXP Semiconductors	BU2508DF	71Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor July 1998-Rev 1.600
List of Unclassifed Man...	2SA755	40Kb/1P	SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED
Hitachi Semiconductor	2SC4797	20Kb/4P	Silicon NPN Triple Diffused
Hitachi Semiconductor	2SC3322	45Kb/7P	Silicon NPN Triple Diffused
Wing Shing Computer Com...	S2005A	95Kb/1P	SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
Hitachi Semiconductor	2SB1032	36Kb/6P	Silicon PNP Triple Diffused
	2SB1091	35Kb/6P	Silicon PNP Triple Diffused
	2SB1399	36Kb/6P	Silicon PNP Triple Diffused
	2SB1494	35Kb/6P	Silicon PNP Triple Diffused
Texas Instruments	TLW.8600	191Kb/7P	clear, non diffused LED
NXP Semiconductors	BU2522DX	80Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2523DX	69Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2525AW	74Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.100
	BU2525DF	71Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2527AF	70Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2527DF	81Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200
	BU2527DX	83Kb/7P	Silicon Diffused Power Transistor September 1997 Rev 1.200

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

< 1 2 3 4 5 > >>

Co to jest DIFFUSED

W komponentach elektronicznych „rozproszony” jest terminem powszechnie stosowanym w procesie produkcji półprzewodników.

W procesie produkcji półprzewodników „rozproszone” ogólnie odnosi się do technologii, która rozpuszcza zanieczyszczenia w materiał półprzewodnikowy i powoduje, że reakcja utleniania tworzy pożądane urządzenie półprzewodnikowe.

Technologie te są jednym z ważnych procesów w określaniu cech urządzeń półprzewodnikowych.

Na przykład w urządzeniach półprzewodnikowych z wykorzystaniem krzemu dyfuzja (technologia powodująca reakcję utleniania przez zanieczyszczenia topnienia) jest powszechnie stosowana do tworzenia połączenia PN (połączenie dodatnie ujemne) wewnątrz urządzenia.

To połączenie PN jest jednym z podstawowych elementów diod, tranzystorów i obwodów zintegrowanych stosowanych w różnych komponentach elektronicznych i jest ważnym czynnikiem w określaniu właściwości elektrycznych urządzeń półprzewodników.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com