Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

KEC(Korea Electronics)(115)Kersemi Electronic Co., Ltd.(442)KIA Semiconductor Technology(132)KODENSHI_AUK CORP.(90)Kyocera Kinseki Corpotation(7)Leadtrend Technology(1)Leshan Radio Company(287)Linear Dimensions Semiconductor(3)Linear Integrated Systems(8)Linear Technology(56)List of Unclassifed Manufacturers(70)List of Unclassifed Manufacturers(48)Littelfuse(7)Lowpower Semiconductor inc(8)Lucky Light Electronic(10)M-System Co.,Ltd.(1)M.S. Kennedy Corporation(42)M/A-COM Technology Solutions, Inc.(167)MacMic(7)MagnaChip Semiconductor.(289)Major-Power Technology Co., LTD.(1)MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED(1)Maxim Integrated Products(83)Maxwell Technologies(1)Meder Electronic(7)MIC GROUP RECTIFIERS(9)Micrel Semiconductor(75)Micro Commercial Components(42)Microchip Technology(148)Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.(2)Micropac Industries(10)Microsemi Corporation(534)Micross Components(92)Mitsubishi Electric Semiconductor(118)Monolithic Power Systems(7)MORNSUN Science& Technology Ltd.(1)Motorola, Inc(93)MUSIC Semiconductors(1)Nanjing International Group Co(29)National Instruments Corporation(6)National Semiconductor (TI)(11)NEC(140)Nell Semiconductor Co., Ltd(56)New Japan Radio(8)New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.(72)Nexperia B.V. All rights reserved(1022)Nihon Inter Electronics Corporation(15)NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.(7)NTE Electronics(89)NXP Semiconductors(426)NXP Semiconductors(331)Omron Electronics LLC(2)ON Semiconductor(2890)OPTEK Technologies(1)OSRAM GmbH(1)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 289 (1/15) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
MagnaChip Semiconductor...
MME65R280QRH Datasheet pdf image
2Mb/10P
650V 0.28ohm N-channel MOSFET
MMP65R380Q Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V 0.38ohm N-channel MOSFET
MMF60R280QTH Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.28ohm N-channel MOSFET
MMP60R195PB Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.195ohm N-channel MOSFET
MML60R190P Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.19ohm N-channel MOSFET
MMF80R900PB Datasheet pdf image
1Mb/10P
800V 0.9ohm N-channel MOSFET
MMF65R380Q Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V 0.38ohm N-channel MOSFET
MMD65R600QRH Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V 0.60ohm N-channel MOSFET
MMF80R650PB Datasheet pdf image
1Mb/10P
800V 0.65ohm N-channel MOSFET
MMF80R1K2PB Datasheet pdf image
1Mb/10P
800V 1.2ohm N-channel MOSFET
MME60R290QRH Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.29ohm N-channel MOSFET
MMP60R190PE Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.190ohm N-channel MOSFET
MMP65R280Q Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V 0.28ohm N-channel MOSFET
MMD65R380QRH Datasheet pdf image
2Mb/10P
650V 0.38ohm N-channel MOSFET
MMD65R900QRH Datasheet pdf image
2Mb/10P
650V 0.90ohm N-channel MOSFET
MMHS70R1K6Q Datasheet pdf image
1Mb/10P
700V 1.6ohm N-channel MOSFET
MMF80R450PB Datasheet pdf image
1Mb/10P
800V 0.45ohm N-channel MOSFET
MMF65R600Q Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V 0.60ohm N-channel MOSFET
MDV1545 Datasheet pdf image
1Mb/6P
Single N-channel Trench MOSFET 30V
MMQ60R115P Datasheet pdf image
1Mb/10P
600V 0.115(ohm) N-channel MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com