Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

ALL ACE Technology Co., LTD.(178)Actel Corporation(1)ADL Embedded Solutions(7)ADTech(4)Advanced Analog Technology, Inc.(1)Advanced Analogic Technologies(27)Advanced Linear Devices(75)Advanced Monolithic Systems Ltd(6)Advanced Power Electronics Corp.(1134)Advanced Power Technology(260)Advanced Semiconductor(43)AG Electronica(1)Agilent(Hewlett-Packard)(3)AiT Semiconductor Inc.(97)Allegro MicroSystems(77)Alpha & Omega Semiconductors(751)Alpha Industries(1)Altera Corporation(2)Anachip Corp(38)Analog Devices(22)Analog Intergrations Corporation(2)Analog Power(737)Anaren Microwave(22)Anpec Electronics Coropration(164)ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.(25)Asahi Kasei Microsystems(3)AUK corp(77)AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED(30)BCD Semiconductor Manufacturing Limited(3)Billiton Ltd.(1)Bookly Micro electronic(10)Broadcom Corporation.(17)Bruckewell Technology LTD(155)California Eastern Labs(13)Calogic, LLC(18)Central Semiconductor Corp(230)Champion Microelectronic Corp.(17)Chino-Excel Technology(13)Chip Integration Technology Corporation(26)Chongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd(22)Clare, Inc.(10)Comchip Technology(28)COSMO Electronics Corporation(91)Cree, Inc(72)Crydom Inc.,(1)CT Micro International Corporation(90)Cystech Electonics Corp.(1182)DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.(365)Dc Components(8)Dialog Semiconductor(13)Digitron Semiconductors(4)DinTek Semiconductor Co,.Ltd(208)Diodes Incorporated(1913)Diotec Semiconductor(1)DIYI Electronic Technology Co., Ltd.(24)Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD(3)Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,(55)DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD(229)E-CMOS Corporation(44)E-Tech Electronics LTD(44)Elantec Semiconductor(4)ELM Electronics(84)ELM Technology Corporation(316)ELMOS Semiconductor AG(1)Estek Electronics Co. Ltd(33)Exar Corporation(1)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 25 (1/2) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...
IRFZ48S Datasheet pdf image
718Kb/8P
HEXFET Power MOSFET
IRL540A Datasheet pdf image
366Kb/5P
HEXFET Power MOSFET
IRF634A Datasheet pdf image
353Kb/6P
Advanced Power MOSFET
IRFZ10 Datasheet pdf image
578Kb/7P
HEXFET Power MOSFET
IRFZ24N Datasheet pdf image
596Kb/8P
HEXFET Power MOSFET
2N7002L Datasheet pdf image
207Kb/4P
Small signal MOSFET
IRL640 Datasheet pdf image
412Kb/5P
HEXFET Power Mosfet
IRF3205 Datasheet pdf image
598Kb/7P
HEXFET Power MOSFET
IRLZ34 Datasheet pdf image
294Kb/4P
HEXFET Power Mosfet
1N60 Datasheet pdf image
395Kb/8P
N-CHANNEL MOSFET
2N60 Datasheet pdf image
389Kb/7P
N-CHANNEL MOSFET
6N60 Datasheet pdf image
219Kb/6P
N-CHANNEL MOSFET
IRL630 Datasheet pdf image
494Kb/7P
HEXFET Power Mosfet
IRFP150N Datasheet pdf image
258Kb/7P
HEXFET Power MOSFET
IRFZ34N Datasheet pdf image
629Kb/8P
HEXFET Power MOSFET
IRFP350 Datasheet pdf image
637Kb/6P
N-Channel Power Mosfet
75N75 Datasheet pdf image
988Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
IRF830 Datasheet pdf image
625Kb/7P
N-Channel PowerMESH MOSFET
IRFP250B Datasheet pdf image
451Kb/7P
200V N-Channel MOSFET
IRFP450 Datasheet pdf image
410Kb/7P
N-CHANNEL PowerMESH MOSFET

1 2 >


1 2 >



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com