Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Pan Jit International Inc.(775)Panasonic Battery Group(10)Panasonic Semiconductor(36)PEAK electronics GmbH(4)Peregrine Semiconductor(4)Peregrine Semiconductor Corp.(12)PFC Device Inc.(140)Power Integrations, Inc.(11)Powerex Power Semiconductors(363)Powersem GmbH(13)Princeton Technology Corp(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(21)Rectron Semiconductor(80)Renesas Technology Corp(493)Richtek Technology Corporation(45)Rohm(1496)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(403)SamHop Microelectronics Corp.(11)Samsung semiconductor(10)Samtec, Inc(1)Sanken electric(215)SanRex Corporation(6)Sanyo Semicon Device(437)Schneider Electric(16)Schurter Inc.(2)SEC Electronics Inc.(5)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(893)Seme LAB(201)SemiHow Co.,Ltd.(246)Semikron International(51)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Sensitron(149)Shanghai awinic technology co.,ltd(1)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(416)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(12)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(8)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(221)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(14)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(288)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(485)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(2)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(31)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(164)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(163)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(3)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)SHIKUES Electronics(83)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(184)Siemens Semiconductor Group(24)SIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED(6)Silan Microelectronics Joint-stock(37)Silicon Standard Corp.(115)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Supplies(3)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(116)Sinopower Semiconductor Inc(586)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(3)Skyworks Solutions Inc.(2)Solid State Optronic(2)Solid States Devices, Inc(443)SparkFun Electronics(1)Stanson Technology(124)STATEK CORPORATION(2)STMicroelectronics(2083)Sumida Corporation(1)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Suntac Electronic Corp.(24)Supertex, Inc(49)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(496)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)TECH PUBLIC Electronics co LTD(217)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)TelCom Semiconductor, Inc(14)Teledyne Technologies Incorporated(2)TEMIC Semiconductors(5)Texas Instruments(120)Texas Instruments(222)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(90)Tiger Electronic Co.,Ltd(20)TOKO, Inc(1)Torex Semiconductor(101)Toshiba Semiconductor(35)TRANSYS Electronics Limited(12)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(6)Tripath Technology Inc.(1)TriQuint Semiconductor(19)TT Electronics.(4)TY Semiconductor Co., Ltd(6)Tyco Electronics(43)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 493 (1/25) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Renesas Technology Corp
UPA2736GR Datasheet pdf image
331Kb/7P
P-channel MOSFET
UPA2735GR Datasheet pdf image
328Kb/7P
P-channel MOSFET
N0438N Datasheet pdf image
661Kb/7P
N-channel MOSFET
2019.9.30
N0437N Datasheet pdf image
577Kb/7P
N-channel MOSFET
2019.9.30
FS7KM-12A Datasheet pdf image
181Kb/5P
Nch POWER MOSFET
UPA2738GR Datasheet pdf image
330Kb/7P
P-channel MOSFET
N0436N Datasheet pdf image
707Kb/7P
N-channel MOSFET
2019.9.30
N0606N Datasheet pdf image
806Kb/7P
N-channel MOSFET
2019.9.30
UPA2737GR Datasheet pdf image
387Kb/7P
P-channel MOSFET
N0435N Datasheet pdf image
580Kb/7P
N-channel MOSFET
2019.9.30
FL20KM-5A Datasheet pdf image
71Kb/5P
MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET
FL12KM-7A Datasheet pdf image
78Kb/5P
MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET
FL14KM-10A Datasheet pdf image
71Kb/5P
MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET
FY7BCH-02B Datasheet pdf image
80Kb/6P
MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET
FS10KM-12A Datasheet pdf image
91Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS20SM-5 Datasheet pdf image
84Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS5KM-6 Datasheet pdf image
85Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS16UM-6 Datasheet pdf image
83Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS20KM-6 Datasheet pdf image
84Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS14VS-9 Datasheet pdf image
82Kb/5P
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com