Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Pan Jit International Inc.(775)Panasonic Battery Group(10)Panasonic Semiconductor(36)PEAK electronics GmbH(4)Peregrine Semiconductor(4)Peregrine Semiconductor Corp.(12)PFC Device Inc.(140)Power Integrations, Inc.(11)Powerex Power Semiconductors(363)Powersem GmbH(13)Princeton Technology Corp(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(21)Rectron Semiconductor(80)Renesas Technology Corp(493)Richtek Technology Corporation(45)Rohm(1496)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(403)SamHop Microelectronics Corp.(11)Samsung semiconductor(10)Samtec, Inc(1)Sanken electric(215)SanRex Corporation(6)Sanyo Semicon Device(437)Schneider Electric(16)Schurter Inc.(2)SEC Electronics Inc.(5)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(893)Seme LAB(201)SemiHow Co.,Ltd.(246)Semikron International(51)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Sensitron(149)Shanghai awinic technology co.,ltd(1)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(416)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(12)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(8)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(221)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(14)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(288)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(485)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(2)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(31)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(164)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(163)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(3)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)SHIKUES Electronics(83)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(184)Siemens Semiconductor Group(24)SIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED(6)Silan Microelectronics Joint-stock(37)Silicon Standard Corp.(115)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Supplies(3)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(116)Sinopower Semiconductor Inc(586)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(3)Skyworks Solutions Inc.(2)Solid State Optronic(2)Solid States Devices, Inc(443)SparkFun Electronics(1)Stanson Technology(124)STATEK CORPORATION(2)STMicroelectronics(2083)Sumida Corporation(1)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Suntac Electronic Corp.(24)Supertex, Inc(49)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(496)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)TECH PUBLIC Electronics co LTD(217)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)TelCom Semiconductor, Inc(14)Teledyne Technologies Incorporated(2)TEMIC Semiconductors(5)Texas Instruments(120)Texas Instruments(222)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(90)Tiger Electronic Co.,Ltd(20)TOKO, Inc(1)Torex Semiconductor(101)Toshiba Semiconductor(35)TRANSYS Electronics Limited(12)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(6)Tripath Technology Inc.(1)TriQuint Semiconductor(19)TT Electronics.(4)TY Semiconductor Co., Ltd(6)Tyco Electronics(43)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 31 (1/2) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Tak Cheong Electronics ...
TFF730 Datasheet pdf image
325Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 5.5A, 400V, 0.95廓
TFP4N65 Datasheet pdf image
325Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 3.9A, 650V, 3.0廓
TFP8N60 Datasheet pdf image
762Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 8A, 600V, 1.0廓
TFF7N65 Datasheet pdf image
300Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 7.2A, 650V, 1.5廓
TFF830 Datasheet pdf image
310Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 4.5A, 500V, 1.50廓
TFP5N60 Datasheet pdf image
215Kb/4P
N-Channel Power MOSFET 4.5A, 600V, 2.4廓
TFP10N60 Datasheet pdf image
3Mb/8P
N-Channel Power MOSFET 10A, 600V, 0.75廓
TFF4N60 Datasheet pdf image
337Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 4.1A, 600V, 2.5廓
TFF5N60 Datasheet pdf image
194Kb/4P
N-Channel Power MOSFET 4.5A, 600V, 2.4廓
TFF740 Datasheet pdf image
281Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 10A, 400V, 0.55廓
TFP50N06 Datasheet pdf image
327Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 50A, 60V, 0.023廓
TFP730 Datasheet pdf image
345Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 5.5A, 400V, 0.95廓
TFP740 Datasheet pdf image
302Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 10A, 400V, 0.55廓
TFP840 Datasheet pdf image
343Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 8A, 500V, 0.9廓
TFF2N60A Datasheet pdf image
303Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 2.1A, 600V, 5.6廓
TFF4N65 Datasheet pdf image
305Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 3.9A, 650V, 3.0廓
TFF10N60 Datasheet pdf image
3Mb/8P
N-Channel Power MOSFET 10A, 600V, 0.75廓
TFP2N60A Datasheet pdf image
324Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 2.1A, 600V, 5.6廓
TFF7N60 Datasheet pdf image
302Kb/7P
N-Channel Power MOSFET 7A, 600V, 1.2廓
TFP4N60 Datasheet pdf image
350Kb/8P
N-Channel Power MOSFET 4.1A, 600V, 2.5廓

1 2 >


1 2 >



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com