Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

KEC(Korea Electronics)(115)Kersemi Electronic Co., Ltd.(442)KIA Semiconductor Technology(132)KODENSHI_AUK CORP.(90)Kyocera Kinseki Corpotation(7)Leadtrend Technology(1)Leshan Radio Company(287)Linear Dimensions Semiconductor(3)Linear Integrated Systems(8)Linear Technology(56)List of Unclassifed Manufacturers(70)List of Unclassifed Manufacturers(48)Littelfuse(7)Lowpower Semiconductor inc(8)Lucky Light Electronic(10)M-System Co.,Ltd.(1)M.S. Kennedy Corporation(42)M/A-COM Technology Solutions, Inc.(167)MacMic(7)MagnaChip Semiconductor.(289)Major-Power Technology Co., LTD.(1)MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED(1)Maxim Integrated Products(83)Maxwell Technologies(1)Meder Electronic(7)MIC GROUP RECTIFIERS(9)Micrel Semiconductor(75)Micro Commercial Components(42)Microchip Technology(148)Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.(2)Micropac Industries(10)Microsemi Corporation(534)Micross Components(92)Mitsubishi Electric Semiconductor(118)Monolithic Power Systems(7)MORNSUN Science& Technology Ltd.(1)Motorola, Inc(93)MUSIC Semiconductors(1)Nanjing International Group Co(29)National Instruments Corporation(6)National Semiconductor (TI)(11)NEC(140)Nell Semiconductor Co., Ltd(56)New Japan Radio(8)New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.(72)Nexperia B.V. All rights reserved(1022)Nihon Inter Electronics Corporation(15)NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.(7)NTE Electronics(89)NXP Semiconductors(426)NXP Semiconductors(331)Omron Electronics LLC(2)ON Semiconductor(2890)OPTEK Technologies(1)OSRAM GmbH(1)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 643 (1/33) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Wuxi NCE Power Semicond...
NCE11N65 Datasheet pdf image
614Kb/9P
Super Junction MOSFET
NCE20N60 Datasheet pdf image
609Kb/9P
Super Junction MOSFET
NCE20N65T Datasheet pdf image
513Kb/7P
Super Junction MOSFET
NCE04N65 Datasheet pdf image
506Kb/7P
Super Junction MOSFET
NCE07N65 Datasheet pdf image
611Kb/9P
Super Junction MOSFET
NCE20N50 Datasheet pdf image
607Kb/9P
Super Junction MOSFET
NCE20N65 Datasheet pdf image
609Kb/9P
Super Junction MOSFET
NCE603S Datasheet pdf image
441Kb/10P
NCE 60V Complementary MOSFET
NCE2025I Datasheet pdf image
380Kb/7P
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE6802 Datasheet pdf image
330Kb/7P
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE70R900I Datasheet pdf image
603Kb/8P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE65R1K2 Datasheet pdf image
667Kb/10P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE60R2K2I Datasheet pdf image
608Kb/8P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE70R2K2I Datasheet pdf image
607Kb/8P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE70R360D Datasheet pdf image
673Kb/10P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE80R1K2I Datasheet pdf image
601Kb/8P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE20H11K Datasheet pdf image
476Kb/7P
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE3030K Datasheet pdf image
410Kb/7P
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
NCE65R180T Datasheet pdf image
522Kb/7P
N-Channel Super Junction Power MOSFET
NCE70R1K2K Datasheet pdf image
765Kb/8P
N-Channel Super Junction Power MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com