Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Pan Jit International Inc.(775)Panasonic Battery Group(10)Panasonic Semiconductor(36)PEAK electronics GmbH(4)Peregrine Semiconductor(4)Peregrine Semiconductor Corp.(12)PFC Device Inc.(140)Power Integrations, Inc.(11)Powerex Power Semiconductors(363)Powersem GmbH(13)Princeton Technology Corp(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(21)Rectron Semiconductor(80)Renesas Technology Corp(493)Richtek Technology Corporation(45)Rohm(1496)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(403)SamHop Microelectronics Corp.(11)Samsung semiconductor(10)Samtec, Inc(1)Sanken electric(215)SanRex Corporation(6)Sanyo Semicon Device(437)Schneider Electric(16)Schurter Inc.(2)SEC Electronics Inc.(5)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(893)Seme LAB(201)SemiHow Co.,Ltd.(246)Semikron International(51)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Sensitron(149)Shanghai awinic technology co.,ltd(1)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(416)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(12)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(8)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(221)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(14)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(288)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(485)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(2)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(31)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(164)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(163)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(3)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)SHIKUES Electronics(83)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(184)Siemens Semiconductor Group(24)SIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED(6)Silan Microelectronics Joint-stock(37)Silicon Standard Corp.(115)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Supplies(3)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(116)Sinopower Semiconductor Inc(586)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(3)Skyworks Solutions Inc.(2)Solid State Optronic(2)Solid States Devices, Inc(443)SparkFun Electronics(1)Stanson Technology(124)STATEK CORPORATION(2)STMicroelectronics(2083)Sumida Corporation(1)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Suntac Electronic Corp.(24)Supertex, Inc(49)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(496)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)TECH PUBLIC Electronics co LTD(217)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)TelCom Semiconductor, Inc(14)Teledyne Technologies Incorporated(2)TEMIC Semiconductors(5)Texas Instruments(120)Texas Instruments(222)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(90)Tiger Electronic Co.,Ltd(20)TOKO, Inc(1)Torex Semiconductor(101)Toshiba Semiconductor(35)TRANSYS Electronics Limited(12)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(6)Tripath Technology Inc.(1)TriQuint Semiconductor(19)TT Electronics.(4)TY Semiconductor Co., Ltd(6)Tyco Electronics(43)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 403 (1/21) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Ruichips Semiconductor ...
RU1HC2H Datasheet pdf image
342Kb/12P
Complementary Advanced Power MOSFET
RU30C8H Datasheet pdf image
348Kb/10P
Complementary Advanced Power MOSFET
RU20C10H Datasheet pdf image
346Kb/10P
Complementary Advanced Power MOSFET
RU60C20R5 Datasheet pdf image
487Kb/10P
Complementary Advanced Power MOSFET
RU30C10H Datasheet pdf image
353Kb/10P
Complementary Advanced Power MOSFET
RU1H130Q Datasheet pdf image
303Kb/8P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU1Z120R Datasheet pdf image
453Kb/8P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU6H2L Datasheet pdf image
339Kb/8P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU40120M Datasheet pdf image
309Kb/8P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU55L18L Datasheet pdf image
299Kb/9P
P-Channel Advanced Power MOSFET
RU30100L Datasheet pdf image
286Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU1H130R Datasheet pdf image
294Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU6H10R Datasheet pdf image
450Kb/11P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU20P4C Datasheet pdf image
262Kb/9P
P-Channel Advanced Power MOSFET
RU30D8H Datasheet pdf image
258Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU30P5H Datasheet pdf image
294Kb/9P
P-Channel Advanced Power MOSFET
RU40E25L Datasheet pdf image
281Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU4099R Datasheet pdf image
466Kb/12P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU6050R Datasheet pdf image
292Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET
RU6055L Datasheet pdf image
277Kb/9P
N-Channel Advanced Power MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com