Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Fairchild Semiconductor(3092)FETek Technology Corp.(32)First Components International(56)First Silicon Co., Ltd(179)Formosa MS(11)Fortune Semiconductor Corp.(12)Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.(161)FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD(1)Freescale Semiconductor, Inc(61)Fuji Electric(437)FutureWafer Tech Co.,Ltd(4)Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited(3)GE Solid State(1)General Semiconductor(8)GeneSiC Semiconductor, Inc.(52)Global Mixed-mode Technology Inc(1)GOOD-ARK Electronics(467)GTM CORPORATION(365)GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.(13)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(1241)GuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd(1)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(243)Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.(3)Gunter Seniconductor GmbH.(71)Harris Corporation(5)Hi-Sincerity Mocroelectronics(32)Hitachi Semiconductor(9)Holtek Semiconductor Inc(1)HOOYI SEMICONDUCTOR(1)HUAJING MICROELECTRONICS(9)HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.(152)HY ELECTRONIC CORP.(34)Icemos Technology(61)IK Semicon Co., Ltd(1)Inchange Semiconductor Company Limited(10909)Infineon Technologies AG(591)Integrated Silicon Solution, Inc(6)InterFET Corporation(2)International Rectifier(2865)Intersil Corporation(423)Isahaya Electronics Corporation(25)ISOCOM COMPONENTS(5)IXYS Corporation(766)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(206)Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd(117)Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd(20)JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.(79)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(2)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 61 (1/4) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Icemos Technology
ICE6N73 Datasheet pdf image
813Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE73N199 Datasheet pdf image
706Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE2N65D Datasheet pdf image
718Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE2N73D Datasheet pdf image
832Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE8N73 Datasheet pdf image
703Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE10N73FP Datasheet pdf image
506Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE15N73 Datasheet pdf image
807Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE4N70D Datasheet pdf image
661Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE5N65D Datasheet pdf image
718Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE15N73FP Datasheet pdf image
900Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE4N73 Datasheet pdf image
627Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE4N73D Datasheet pdf image
646Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE4N73FP Datasheet pdf image
795Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE10N73 Datasheet pdf image
491Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE30N160 Datasheet pdf image
607Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE60N199 Datasheet pdf image
814Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE4N65D Datasheet pdf image
718Kb/9P
Enhancement Mode MOSFET
ICE30N080W Datasheet pdf image
588Kb/8P
Enhancement Mode MOSFET
ICE8N70FP Datasheet pdf image
738Kb/9P
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ICE15N60W Datasheet pdf image
602Kb/8P
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

1 2 3 4 >


1 2 3 4 >



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com