Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

UN Semiconducctor INC(120)Union Semiconductor, Inc.(23)Unisonic Technologies(1193)United Monolithic Semiconductors(6)Unitpower Technology Limited(80)Vaishali Semiconductor(16)Varitronix international limited(2)VBsemi Electronics Co.,Ltd(8813)Vicor Corporation(4)VIGO Photonics S.A.(4)Vishay Siliconix(5663)Vishay Telefunken(334)Vitesse Semiconductor Corporation(19)WAGO Kontakttechnik GmbH & Co. KG(359)Wall Industries,Inc.(9)WECO ELECTRICAL CONNECTORS INC.(6)Weidmuller(30)Weitron Technology(80)Will Semiconductor Ltd.(129)WILLAS ELECTRONIC CORP(12)Winbond(20)Winchester Electronics Corporation(163)WISDOM INTERNATIONAL TECHNOLOGIES LIMITED(1)Wisdom technologies Int`l(45)Wolfson Microelectronics plc(44)WOLFSPEED, INC.(65)WONGSHI ENTERPRISE LIMITED(4)World Produts Inc.(4)WORLDSEMI CO., LIMITED(3)Wurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.(1)Wuxi ETEK Micro-Electronics Co.,Ltd.(1)Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd(636)Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD(417)Wuxi Unigroup Microelectronics Company(19)Wuxi Youda electronics Co.,LTD(4)XFMRS Inc.(10)Xiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd(2)Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.(273)Xilinx, Inc(2)YAMAHA CORPORATION(2)Yangzhou yangjie electronic co., ltd(128)Yea Shin Technology Co., Ltd(1)YOBON TECHNOLOGIES,INC.(1)Z-Communications, Inc(5)Zarlink Semiconductor Inc(58)Zentrum Mikroelektronik Dresden AG(2)Zetex Semiconductors(273)Zhaoxingwei Electronics ., Ltd(8)Zibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd(14)ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG(2)Zilog, Inc.(1)ZP Semiconductor(143)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 19 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Wuxi Unigroup Microelec...
TSJ10N10AT Datasheet pdf image
791Kb/7P
100V N-Channel DTMOS
TMA7N65H Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V N-Channel MOSFET
TMA10N65H Datasheet pdf image
1Mb/8P
650V N-Channel MOSFET
TSG12N06AT Datasheet pdf image
675Kb/7P
60V N-Channel DTMOS
TSG12N10AT Datasheet pdf image
676Kb/7P
100V N-Channel DTMOS
TSD12N06AT Datasheet pdf image
693Kb/7P
60V N-Channel DTMOS
TSJ12N06AT Datasheet pdf image
789Kb/7P
60V N-Channel DTMOS
TSP15N06A Datasheet pdf image
661Kb/7P
60V N-Channel DTMOS
TMA8N50H Datasheet pdf image
908Kb/7P
500V N-Channel MOSFET
TMA10N60H Datasheet pdf image
910Kb/7P
600V N-Channel MOSFET
TMA12N50H Datasheet pdf image
670Kb/5P
500V N-Channel MOSFET
TSJ10N06AT Datasheet pdf image
790Kb/7P
60V N-Channel DTMOS
TSP15N10A Datasheet pdf image
660Kb/7P
100V N-Channel DTMOS
TMA4N65H Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V N-Channel MOSFET
TMA12N65H Datasheet pdf image
1Mb/8P
650V N-Channel MOSFET
TMU6N70H Datasheet pdf image
1Mb/10P
700V N-Channel MOSFET
TMP140N10A Datasheet pdf image
912Kb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET
TMP160N10A Datasheet pdf image
912Kb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET
TMP120N10A Datasheet pdf image
836Kb/7P
100V N-Channel Trench MOSFET

1


1



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com