Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

Fairchild Semiconductor(3621)Faraday Technology(3)FCI connector(7)Feeling Technology Corp.(3)FETek Technology Corp.(481)FIBOX Enclosing innovations(2)FIDELIX(1)Filtran LTD(3)Filtronic Compound Semiconductors(1)Finisar Corporation.(6)First Components International(60)First Silicon Co., Ltd(387)Fitipower Integrated Technology Inc.(6)Formosa MS(9)Fortune Semiconductor Corp.(7)Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.(161)FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD(2)Fox Electronics(4)Freescale Semiconductor, Inc(223)Frequency Devices, Inc.(11)Frontier Electronics.(1)FSP TECHNOLOGY INC.(5)Fuji Electric(649)Fujitsu Component Limited.(42)Future Technology Devices International Ltd.(6)FutureWafer Tech Co.,Ltd(11)Fuzetec Technology Co., Ltd.(1)Gamewell-FCI by Honeywell(1)Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.(1)GE Solid State(10)General Semiconductor(25)Generalplus Technology Inc.(24)GeneSiC Semiconductor, Inc.(36)Gennum Corporation(6)Glenair, Inc.(24)Global Mixed-mode Technology Inc(27)Golledge Electronics Ltd(1)Good Will Instrument Co., Ltd.(1)GOOD-ARK Electronics(389)GPB International Limited.(1)Grayhill, Inc(6)Grenergy Opto, lnc.(4)Greystone Energy Systems Inc.(3)GTM CORPORATION(366)GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.(11)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(1162)GuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd(1)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(274)Guerrilla RF, Inc.(1)Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.(12)Gunter Seniconductor GmbH.(71)HALO Electronics, Inc.(6)Hamamatsu Corporation(2)HAMLIN Position and Movement Sensor Solutions(1)Harris Corporation(29)Hi-Sincerity Mocroelectronics(54)Hirose Electric(4)Hitachi Metals, Ltd(3)Hitachi Semiconductor(522)HITRON ELECTRONICS CORPORTION(5)Hittite Microwave Corporation(76)Holt Integrated Circuits(23)Holtek Semiconductor Inc(20)Honeywell Solid State Electronics Center(3)HOOYI SEMICONDUCTOR(1)HTC Korea TAEJIN Technology Co.(3)HUAJING MICROELECTRONICS(9)HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.(150)Huber+Suhner, Inc.(296)HY ELECTRONIC CORP.(40)Hynix Semiconductor(1)IC-Haus GmbH(22)Icemos Technology(43)IK Semicon Co., Ltd(2)Inchange Semiconductor Company Limited(10943)Infineon Technologies AG(491)Insel Rectifier India Pvt. Ltd.(1)Integral Corp.(2)Integrated Circuit Systems(7)Integrated Device Technology(113)Integrated Silicon Solution, Inc(22)Intel Corporation(2)InterFET Corporation(97)International Rectifier(335)Intersil Corporation(873)Intronics Power, Inc.(2)Inventronics Inc.(14)IOGEAR(1)IRC - a TT electronics Company.(2)Isabellenhütte Heusler GmbH & Co. KG(1)Isahaya Electronics Corporation(35)ISOCOM COMPONENTS(3)ITT Industries(4)IXYS Corporation(523)Japan Aviation Electronics Industry, Ltd.(1)JDS Uniphase Corporation(17)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(218)Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd(117)Jiaxing Heroic Technology Co.,Ltd.(5)JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.(80)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(6)JMK Inc.(1)JSC ALFA.(2)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 29 (1/2) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Harris Corporation
HGTG40N6 Datasheet pdf image
65Kb/6P
70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTD7N60C3 Datasheet pdf image
153Kb/6P
14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60C3 Datasheet pdf image
227Kb/9P
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
IRF530R Datasheet pdf image
390Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated
HGTP12N60C3 Datasheet pdf image
131Kb/6P
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
BUZ41A Datasheet pdf image
45Kb/5P
4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFD3055 Datasheet pdf image
118Kb/8P
12A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)
IRFBC40 Datasheet pdf image
66Kb/7P
6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
HGTG12N60C3D Datasheet pdf image
102Kb/7P
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP3N60C3D Datasheet pdf image
327Kb/7P
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG30N60C3D Datasheet pdf image
131Kb/8P
63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP3N60C3D Datasheet pdf image
394Kb/11P
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
RFP30N06LE Datasheet pdf image
91Kb/6P
30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
IRF510 Datasheet pdf image
71Kb/7P
4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD121 Datasheet pdf image
360Kb/6P
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD210 Datasheet pdf image
360Kb/6P
0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS
HI-506A Datasheet pdf image
1Mb/14P
16-Channel, 8-Channel, Differential 8-Channel and Differential 4-Channel, CMOS Analog MUXs with Active Overvoltage Protection
IRF9540 Datasheet pdf image
424Kb/7P
P-CHANNEL POWER MOSFETS
HS-1840RH Datasheet pdf image
193Kb/13P
Rad-Hard 16 Channel CMOS Analog Rad-Hard 16 Channel CMOS Analog
IH6208 Datasheet pdf image
63Kb/7P
8-Channel CMOS Analog Multiplexer

1 2 >


1 2 >



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com