Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



D-S Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'D-S' - wyników: 8765 (1/439) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
VBsemi Electronics Co.,...
4410AGM Datasheet pdf image
1,007Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
4800AGM-HF Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
4800BGM-HF Datasheet pdf image
1,007Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
9915GJ Datasheet pdf image
916Kb/6P
N-Channel 200V (D-S) MOSFET
SPN4412WS8RGB Datasheet pdf image
1,007Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
AM9410N-T1-PF Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
AO4418 Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
NDD01N60T4G Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 650V (D-S) MOSFET
11D3L Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
SFS4410 Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
RK9410TB Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
SI4416DY-T1-E3 Datasheet pdf image
1,006Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
SI4890DY-T1-E3 Datasheet pdf image
1,007Kb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
UT4420G-S08-R Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
UT4800G-S08-T Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
UT4800L-S08-T Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
SSM4412 Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
STM4410 Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
STM4800A Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET
STN4420 Datasheet pdf image
1Mb/9P
N-Channel 20V (D-S) MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest D-S


D-S jest jednym z terminów powszechnie stosowanych w elementach elektronicznych.

D-S oznacza źródło drenażu i jest stosowane w urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFET (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku).

MOSFET jest jednym z reprezentatywnych urządzeń półprzewodników i służy do kontroli prądu zgodnie z napięciem.

MOSFET ma trzy piny: brama, odpływ i źródło, wśród których D-S reprezentuje odległość między drenażem a źródłem.

Odległość D-S jest jednym z czynników, które mają istotny wpływ na charakterystykę MOSFET.

Zmniejszenie tej odległości zwiększa wytrzymałość napięcia na urządzeniu, co zwiększa prędkość i wydajność MOSFET.

Dlatego odległość D-S jest jednym z ważnych czynników określających wydajność MOSFET.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com