W elektronice „drenaż” jest terminem używanym w niektórych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFET (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku).
MOSFET to urządzenie półprzewodnikowe, które umożliwia przepływ prądu poprzez kontrolowanie napięcia i jest używane głównie do przełączania i wzmacniania. Mosfet ma trzy szpilki, z których jednym jest pin „spust”. Pozostałe dwa piny to „brama” i „źródło”.
Drenaż (spust): spust jest pinem wyjściowym MOSFET, prąd pozostawi urządzenie przez ten kod. Połącz spustowy służy do zbierania prądu jako części, w której powstaje kanał MOSFET. Zazwyczaj połączenie elektryczne znajduje się między szpilką spustową Mosfet a źródłem zasilania lub obciążeniem obwodu.
Brama (brama): brama jest stykiem sterującym MOSFET. Po przyłożeniu napięcia do tego pinu reguluje przepływ prądu między drenażem a źródłem poprzez kontrolowanie przewodzenia kanału.
Źródło (źródło): Źródło jest pinem wejściowym MOSFET, prąd przejdzie do tego pinu. Przewodność kanału zmienia się zgodnie z napięciem zastosowanym do bramy, a zatem prąd przepływa między drenażem a źródłem.
MOSFET są używane w różnych zastosowaniach, głównie w obwodach konwersji mocy, obwodach przełączania i obwodach wzmacniaczy. Drenaż odgrywa ważną rolę w kontrolowaniu działania MOSFET. Pozwala to MOSFET wykonywać różne funkcje poprzez kontrolowanie przewodzenia kanału i dopuszczając lub blokowanie prądu, w zależności od zastosowanego napięcia i napięcia przyłożonego do bramy.
*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.
|