ENHANCEMENT-MODE Datasheet(PDF) - STL4N10F7

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

1 2 3 4 5 > >>

Co to jest ENHANCEMENT-MODE

W elektronice „tryb wzmacniający” jest terminem używanym do opisania trybu działania określonego rodzaju tranzystora. Tranzystor „w trybie wzmacniającym” ma metodę działania, która stosuje sygnał elektryczny do zacisku bramki tranzystora, aby utworzyć kanał i umożliwić przepływ prądu.

Tranzystor w trybie wzmacniającym tworzy kanał wewnątrz tranzystora poprzez wstrzyknięcie napięcia dodatnie do jego terminalu bramkowego. Aktywuje to tranzystor, umożliwiając przepływ prądu. I odwrotnie, wstrzyknięcie napięcia ujemnego na zacisku bramki odcina tranzystor i brak przepływów prądu.

Tranzystory w trybie wzmacniającym zwykle składają się z MOSFET typu P (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku) i MOSFET typu N. Nazywany również odpowiednio PMOSFET i NMOSFET, po zastosowaniu odpowiedniego napięcia, odpowiedni tranzystor jest aktywowany, aby umożliwić przejście prądu.

Tranzystory w trybie wzmacniającym są używane w różnych komponentach elektronicznych i systemach, w tym cyfrowych obwodach logicznych, wspomnień półprzewodnikowych, konwerterach zasilania i urządzeniach mobilnych. Służą one do kondycjonowania sygnałów elektrycznych i kontroli przełączania przez napięcia robocze lub prądy. Tranzystory w trybie wzmacniającym są kluczowymi elementami elektronicznymi stosowanymi głównie w aplikacjach o wysokiej wydajności i niskiej mocy.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
STMicroelectronics	STL4N10F7	897Kb/14P	N-channel enhancement mode March 2014 Rev 4
	STL20DN10F7	900Kb/14P	N-channel enhancement mode April 2014 Rev 3
	STL25N15F4	778Kb/12P	N-channel enhancement mode September 2009 Rev 1
	STL3N10F7	889Kb/13P	N-channel enhancement mode
	STU36NB20	57Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STB7NB40	61Kb/6P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STP7NB40	73Kb/4P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STP7NB60	115Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	IRF822FI	169Kb/6P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
	STB11NB40	102Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STP5NB40	71Kb/7P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STW34NB20	97Kb/8P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STB19NB20	85Kb/8P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET June 1998
	STU13NB60	61Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STD2NB60	291Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STP12NB30	56Kb/6P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STW33N20	115Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	STP10NB20	122Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STP6NB50	115Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
	STW38NB20	75Kb/5P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

ENHANCEMENT-MODE Arkusz danych, PDF

Co to jest ENHANCEMENT-MODE

Link URL :