Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



ENHANCEMENT-MODE Arkusz danych, PDF

Fair-Rite Products Corp.(34)Fairchild Semiconductor(464)Fangtek Ltd.(1)Feeling Technology Corp.(13)Ferroxcube International Holding B.V.(2)FERYSTER Inductive Components Manufacturer(1)FETek Technology Corp.(2)Filtran LTD(19)Finisar Corporation.(35)First Components International(24)First Silicon Co., Ltd(47)Formosa MS(3)Fortune Semiconductor Corp.(7)Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.(1)Freescale Semiconductor, Inc(229)Frontier Electronics.(45)Fuji Electric(9)Fujitsu Component Limited.(11)Future Technology Devices International Ltd.(1)FutureWafer Tech Co.,Ltd(8)Gamma Microelectronics Inc.(3)GaN Systems Inc.(18)GE Solid State(5)General Semiconductor(8)Generalplus Technology Inc.(3)GeneSiC Semiconductor, Inc.(36)Gennum Corporation(1)Glenair, Inc.(1)Global Mixed-mode Technology Inc(21)Golledge Electronics Ltd(9)Grenergy Opto, lnc.(10)GTM CORPORATION(396)GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.(7)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(175)GUANGDONG MISUN TECHNOLOGY CO.,LTD.(23)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(36)Guangzhou Tengyi Electronics Co., Ltd.(1)Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.(6)HALO Electronics, Inc.(1)Hamamatsu Corporation(2)HANAMICRON(1)Hanbit Electronics Co.,Ltd(57)Hantronix,Inc(3)Harris Corporation(2)HARTING Technology Group(3)Hi-Sincerity Mocroelectronics(27)Hirose Electric(1)Hitachi Semiconductor(6)HITRON ELECTRONICS CORPORTION(19)Hittite Microwave Corporation(16)Holt Integrated Circuits(1)Holtek Semiconductor Inc(8)HOOYI SEMICONDUCTOR(1)Hotchip Technology Co.,Ltd(9)HTC Korea TAEJIN Technology Co.(2)HuaXinAn Electronics CO.,LTD(1)HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.(146)HVVi Semiconductors, Inc.(2)HY ELECTRONIC CORP.(34)IC-Haus GmbH(1)Icemos Technology(61)IK Semicon Co., Ltd(7)IMP, Inc(2)Impala Linear Corporation(1)Infineon Technologies AG(254)Integral Corp.(2)Integrated Circuit Solution Inc(25)Integrated Circuit Systems(6)Integrated Device Technology(7)Integrated Silicon Solution, Inc(54)Intel Corporation(2)InterFET Corporation(1)International Rectifier(24)Intersil Corporation(88)IOGEAR(1)ISOCOM COMPONENTS(2)IXYS Corporation(495)JDS Uniphase Corporation(3)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(14)Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd(111)JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.(15)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(3)JMK Inc.(13)Johanson Technology Inc.(1)
More
Szukane słowo kluczowe : 'ENHANCEMENT-MODE' - wyników: 8 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
General Semiconductor
RFM12P08 Datasheet pdf image
676Kb/12P
P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE
GFP60N03 Datasheet pdf image
115Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GFB70N03 Datasheet pdf image
102Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GF4435 Datasheet pdf image
153Kb/5P
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GF4450 Datasheet pdf image
158Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GFB50N03 Datasheet pdf image
109Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GFB75N03 Datasheet pdf image
102Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
GF6968AD Datasheet pdf image
88Kb/5P
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Die

1


1



Co to jest ENHANCEMENT-MODE


W elektronice „tryb wzmacniający” jest terminem używanym do opisania trybu działania określonego rodzaju tranzystora. Tranzystor „w trybie wzmacniającym” ma metodę działania, która stosuje sygnał elektryczny do zacisku bramki tranzystora, aby utworzyć kanał i umożliwić przepływ prądu.

Tranzystor w trybie wzmacniającym tworzy kanał wewnątrz tranzystora poprzez wstrzyknięcie napięcia dodatnie do jego terminalu bramkowego. Aktywuje to tranzystor, umożliwiając przepływ prądu. I odwrotnie, wstrzyknięcie napięcia ujemnego na zacisku bramki odcina tranzystor i brak przepływów prądu.

Tranzystory w trybie wzmacniającym zwykle składają się z MOSFET typu P (tranzystor pola-tlenku-tlenku-tlenku) i MOSFET typu N. Nazywany również odpowiednio PMOSFET i NMOSFET, po zastosowaniu odpowiedniego napięcia, odpowiedni tranzystor jest aktywowany, aby umożliwić przejście prądu.

Tranzystory w trybie wzmacniającym są używane w różnych komponentach elektronicznych i systemach, w tym cyfrowych obwodach logicznych, wspomnień półprzewodnikowych, konwerterach zasilania i urządzeniach mobilnych. Służą one do kondycjonowania sygnałów elektrycznych i kontroli przełączania przez napięcia robocze lub prądy. Tranzystory w trybie wzmacniającym są kluczowymi elementami elektronicznymi stosowanymi głównie w aplikacjach o wysokiej wydajności i niskiej mocy.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com