EPITAXIAL Datasheet(PDF) - 2SA1489

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >

1 2 3 4 5 > >>

Co to jest EPITAXIAL

W komponentach elektronicznych „epitaksja” jest terminem stosowanym w technologii produkcji półprzewodników i odnosi się do technologii, która tworzy warstwę półprzewodników z krytycznym procesem wzrostu. Technologia ta służy do poprawy wydajności urządzeń półprzewodnikowych, szczególnie w produkcji półprzewodników na bazie krzemowej.

Odkładanie epitaksjalne jest procesem zdeponowania jednej lub więcej dodatkowych warstw oprócz istniejącego prototypu półprzewodnikowego. Proces ten jest również nazywany epitaksją i zwykle odbywa się metodami takimi jak chemiczne osadzanie pary (CVD) lub fizyczne osadzanie pary (PVD).

Odkładanie epitaksjalne jest stosowane do różnych celów:

Poprawiona wydajność: poprawia mobilność i prędkość elektronów poprzez tworzenie struktury krystalicznej wyższej jakości niż materiał podstawowy urządzeń półprzewodnikowych.

Doping: W procesie epitaksjalnym określone atomy lub jony można domieszkować, aby zapewnić pożądane właściwości elektryczne.

Poprawiona stabilność: warstwa epitaksjalna ma taką samą strukturę sieci, co leżący u podstaw prototyp, co czyni ją bardziej stabilną niż warstwy utworzone przez inne techniki.

Integracja urządzenia: Procesy epitaxialne służą do integracji wielu urządzeń z pojedynczym układem półprzewodnikowym poprzez osadzanie wielu warstw.

Odkładanie epitaksjalne jest uważane za kluczową technologię w produkcji półprzewodników i odgrywa kluczową rolę w poprawie wydajności i wydajności urządzeń półprzewodników. Technologia ta stanowi podstawę do opracowania szerokiej gamy produktów w branży półprzewodników, w tym o wysokiej wydajności mikroprocesory, układy pamięci i diody LED.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Sanken electric	2SA1489	200Kb/2P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
	2SA771	236Kb/2P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
	2SA1205	211Kb/2P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
	2SA1670	203Kb/2P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
	2SA1672	203Kb/2P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
	2SB1259	36Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SB1382	35Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SC2921	33Kb/1P	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
	2SA1303	33Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SA1493	34Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SA1667	33Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SA1693	33Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SB1258	35Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SB1351	35Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SB1647	35Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SC3851	33Kb/1P	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor
	2SA1693	33Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SA1694	34Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SA1725	33Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
	2SB1588	36Kb/1P	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor

EPITAXIAL Arkusz danych, PDF

Co to jest EPITAXIAL

Link URL :