EPITAXIAL Datasheet(PDF) - 1SS77WS - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>

1 2 3 4 5 > >>

Co to jest EPITAXIAL

W komponentach elektronicznych „epitaksja” jest terminem stosowanym w technologii produkcji półprzewodników i odnosi się do technologii, która tworzy warstwę półprzewodników z krytycznym procesem wzrostu. Technologia ta służy do poprawy wydajności urządzeń półprzewodnikowych, szczególnie w produkcji półprzewodników na bazie krzemowej.

Odkładanie epitaksjalne jest procesem zdeponowania jednej lub więcej dodatkowych warstw oprócz istniejącego prototypu półprzewodnikowego. Proces ten jest również nazywany epitaksją i zwykle odbywa się metodami takimi jak chemiczne osadzanie pary (CVD) lub fizyczne osadzanie pary (PVD).

Odkładanie epitaksjalne jest stosowane do różnych celów:

Poprawiona wydajność: poprawia mobilność i prędkość elektronów poprzez tworzenie struktury krystalicznej wyższej jakości niż materiał podstawowy urządzeń półprzewodnikowych.

Doping: W procesie epitaksjalnym określone atomy lub jony można domieszkować, aby zapewnić pożądane właściwości elektryczne.

Poprawiona stabilność: warstwa epitaksjalna ma taką samą strukturę sieci, co leżący u podstaw prototyp, co czyni ją bardziej stabilną niż warstwy utworzone przez inne techniki.

Integracja urządzenia: Procesy epitaxialne służą do integracji wielu urządzeń z pojedynczym układem półprzewodnikowym poprzez osadzanie wielu warstw.

Odkładanie epitaksjalne jest uważane za kluczową technologię w produkcji półprzewodników i odgrywa kluczową rolę w poprawie wydajności i wydajności urządzeń półprzewodników. Technologia ta stanowi podstawę do opracowania szerokiej gamy produktów w branży półprzewodników, w tym o wysokiej wydajności mikroprocesory, układy pamięci i diody LED.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	1SS77WS	212Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR
	LL4150A	80Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	ST2N4402	329Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
	LS133	115Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS314WT	130Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	LL4148	251Kb/4P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1N4148	256Kb/4P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS270	313Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS181	313Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	RLS244	121Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	MCL245	174Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	ESDBL6V8G-AH	222Kb/3P	Silicon Epitaxial Planar Diode
	RLS245	347Kb/1P	Silicon Epitaxial Planar Diode
	KDS114WT	577Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	MPH80E	293Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS184	135Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	ST-2SA1020	211Kb/2P	PNP Silicon Epitaxial Transistor
	1N4448WT	327Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	MCL4448	266Kb/4P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS352	257Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

EPITAXIAL Arkusz danych, PDF

Co to jest EPITAXIAL

Link URL :