Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



EPITAXIAL Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'EPITAXIAL' - wyników: 8 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Diodes Incorporated
1N5221B Datasheet pdf image
60Kb/3P
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
DS18006 Rev. 15 - 2
1N5221B Datasheet pdf image
51Kb/3P
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
1N5221B Datasheet pdf image
34Kb/2P
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
DS18006 Rev. 14 - 2
DPLS160-7 Datasheet pdf image
171Kb/4P
Epitaxial Planar Die Construction
TZX2V4 Datasheet pdf image
67Kb/4P
500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE
DS30089 Rev. 1P-5
BAT54TA Datasheet pdf image
113Kb/2P
SOT23 SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES
ZUMD54C Datasheet pdf image
70Kb/2P
SOT323 SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAT54SRS Datasheet pdf image
113Kb/2P
SOT23 SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES

1


1



Co to jest EPITAXIAL


W komponentach elektronicznych „epitaksja” jest terminem stosowanym w technologii produkcji półprzewodników i odnosi się do technologii, która tworzy warstwę półprzewodników z krytycznym procesem wzrostu. Technologia ta służy do poprawy wydajności urządzeń półprzewodnikowych, szczególnie w produkcji półprzewodników na bazie krzemowej.

Odkładanie epitaksjalne jest procesem zdeponowania jednej lub więcej dodatkowych warstw oprócz istniejącego prototypu półprzewodnikowego. Proces ten jest również nazywany epitaksją i zwykle odbywa się metodami takimi jak chemiczne osadzanie pary (CVD) lub fizyczne osadzanie pary (PVD).

Odkładanie epitaksjalne jest stosowane do różnych celów:

Poprawiona wydajność: poprawia mobilność i prędkość elektronów poprzez tworzenie struktury krystalicznej wyższej jakości niż materiał podstawowy urządzeń półprzewodnikowych.

Doping: W procesie epitaksjalnym określone atomy lub jony można domieszkować, aby zapewnić pożądane właściwości elektryczne.

Poprawiona stabilność: warstwa epitaksjalna ma taką samą strukturę sieci, co leżący u podstaw prototyp, co czyni ją bardziej stabilną niż warstwy utworzone przez inne techniki.

Integracja urządzenia: Procesy epitaxialne służą do integracji wielu urządzeń z pojedynczym układem półprzewodnikowym poprzez osadzanie wielu warstw.

Odkładanie epitaksjalne jest uważane za kluczową technologię w produkcji półprzewodników i odgrywa kluczową rolę w poprawie wydajności i wydajności urządzeń półprzewodników. Technologia ta stanowi podstawę do opracowania szerokiej gamy produktów w branży półprzewodników, w tym o wysokiej wydajności mikroprocesory, układy pamięci i diody LED.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com