EPITAXIAL Datasheet(PDF) - LMBTA94LT1G_15

1 2 >

Co to jest EPITAXIAL

W komponentach elektronicznych „epitaksja” jest terminem stosowanym w technologii produkcji półprzewodników i odnosi się do technologii, która tworzy warstwę półprzewodników z krytycznym procesem wzrostu. Technologia ta służy do poprawy wydajności urządzeń półprzewodnikowych, szczególnie w produkcji półprzewodników na bazie krzemowej.

Odkładanie epitaksjalne jest procesem zdeponowania jednej lub więcej dodatkowych warstw oprócz istniejącego prototypu półprzewodnikowego. Proces ten jest również nazywany epitaksją i zwykle odbywa się metodami takimi jak chemiczne osadzanie pary (CVD) lub fizyczne osadzanie pary (PVD).

Odkładanie epitaksjalne jest stosowane do różnych celów:

Poprawiona wydajność: poprawia mobilność i prędkość elektronów poprzez tworzenie struktury krystalicznej wyższej jakości niż materiał podstawowy urządzeń półprzewodnikowych.

Doping: W procesie epitaksjalnym określone atomy lub jony można domieszkować, aby zapewnić pożądane właściwości elektryczne.

Poprawiona stabilność: warstwa epitaksjalna ma taką samą strukturę sieci, co leżący u podstaw prototyp, co czyni ją bardziej stabilną niż warstwy utworzone przez inne techniki.

Integracja urządzenia: Procesy epitaxialne służą do integracji wielu urządzeń z pojedynczym układem półprzewodnikowym poprzez osadzanie wielu warstw.

Odkładanie epitaksjalne jest uważane za kluczową technologię w produkcji półprzewodników i odgrywa kluczową rolę w poprawie wydajności i wydajności urządzeń półprzewodników. Technologia ta stanowi podstawę do opracowania szerokiej gamy produktów w branży półprzewodników, w tym o wysokiej wydajności mikroprocesory, układy pamięci i diody LED.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Leshan Radio Company	LMBTA94LT1G	111Kb/3P	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	LMBTA94LT1G	61Kb/3P	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	L4601DW1T1	158Kb/3P	Silicon NPN Epitaxial Planer Transistor(Tr1), Silicon PNP Epitaxial Planer Transistor(Tr2)
	L4401DW1T1	151Kb/2P	Silicon PNP Epitaxial Planer Transistor
	LRX102UT1G	490Kb/4P	EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR
	L4501DW1T1	165Kb/3P	Silicon NPN Epitaxial Planer Transistor
	LRX102UT1G	490Kb/4P	EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR
	L2SD2114KLT1	78Kb/4P	Epitaxial planar type NPN silicon transistor
	L2SA812QLT1G	147Kb/5P	General Purpose Transistors Epitaxial planar type.
	L2SD2114KWLT1G	111Kb/4P	Epitaxial planar type NPN silicon transistor
	LMBTA94LT1G	90Kb/3P	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR RoHS requirements.
	LH8050PLT1G	565Kb/4P	General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
	L2SC3357	309Kb/2P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	L8050PLT1G	71Kb/4P	General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
	L8050HPLT1G	81Kb/3P	General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
	L8550HPLT1G	85Kb/3P	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
	L2SC3356RWT1G	653Kb/4P	The L2SC3356RWT1G is an NPN silicon epitaxial transistor
	L2SA1036KQLT1G	168Kb/4P	Medium Power Transistor Epitaxial planar type PNP silicon transistor
	LMBTA44LT1G	83Kb/3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR High Breakdown Voltage: VCEO=400
	L2SD2114KVLT1G	72Kb/4P	Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain

EPITAXIAL Arkusz danych, PDF

Co to jest EPITAXIAL

Link URL :