Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



HOLE Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'HOLE' - wyników: 120 (1/6) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
SanRex Corporation
SMG05C60 Datasheet pdf image
468Kb/3P
THYRISTOR(Through Hole)
TMG1C80 Datasheet pdf image
473Kb/2P
TRIAC(Through Hole)
TMG1C60 Datasheet pdf image
469Kb/2P
TRIAC(Through Hole)
TMG1CQ60 Datasheet pdf image
471Kb/2P
TRIAC(Through Hole)
TMG25D80J Datasheet pdf image
471Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
TMG3D80F Datasheet pdf image
471Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG20C60F Datasheet pdf image
475Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
SMG12C60F Datasheet pdf image
462Kb/3P
THYRISTOR(Through Hole/Isolated)
TMG2CQ60F Datasheet pdf image
480Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG16C60J Datasheet pdf image
472Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG16D80J Datasheet pdf image
472Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
TMG3D60F Datasheet pdf image
474Kb/2P
TMG3D60F (THROUGH HOLE / ISOLATED )
TMG5CQ60F Datasheet pdf image
489Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
TMG10C60F Datasheet pdf image
475Kb/2P
TRIAC (Through Hole / Isolated)
TMG3DQ60F Datasheet pdf image
479Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG12D60F Datasheet pdf image
470Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG20CQ60F Datasheet pdf image
479Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
TMG20D80F Datasheet pdf image
470Kb/2P
TRIAC(Through Hole / Isolated)
TMG10D60F Datasheet pdf image
472Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)
TMG10D80F Datasheet pdf image
479Kb/2P
TRIAC(Through Hole/Isolated)

1 2 3 4 5 6 >


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest HOLE


„Dziura” jest jedną z koncepcji stosowanych w teorii półprzewodników.

Semiconductor to pole, które bada działanie elektronów, a przepływ elektronów można wytłumaczyć koncepcją „otworów”, koncepcją związaną z ruchem elektronów i brakiem elektronów w tym samym czasie.

„Dziura” odnosi się do deprywacji elektronów, co jest spowodowane ruchem elektronu z atomu, do którego jest on związany.

Wskazuje to na brak elektronów w związanych atomach.

Te „otwory” mają ładunek dodatni, w przeciwieństwie do elektronów, i wpływają na zachowanie elektryczne.

„Hole” odgrywa ważną rolę w projektowaniu urządzeń półprzewodnikowych.

W szczególności w urządzeniu półprzewodnikowym typu p występuje ruch „otworów” i ruch elektronów.

Te „dziury” służą do ułatwienia ruchu prądu w urządzeniach półprzewodnikowych typu p.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com