Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



HOLE Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'HOLE' - wyników: 181 (1/10) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
International Rectifier
IRFM240 Datasheet pdf image
178Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE
IRLF120 Datasheet pdf image
548Kb/7P
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
IRFY240C Datasheet pdf image
219Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA
2N7334JANTXV Datasheet pdf image
273Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRFY130C Datasheet pdf image
167Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
2N7336JANTX Datasheet pdf image
444Kb/12P
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
JANSF2N7262 Datasheet pdf image
298Kb/12P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRH7054 Datasheet pdf image
240Kb/8P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRFG6110 Datasheet pdf image
402Kb/12P
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
JANS2N6851 Datasheet pdf image
135Kb/7P
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
IRFM064 Datasheet pdf image
198Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM9240 Datasheet pdf image
190Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANSR2N7269 Datasheet pdf image
264Kb/12P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM57260SE Datasheet pdf image
96Kb/8P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM57260 Datasheet pdf image
99Kb/8P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRFM350 Datasheet pdf image
203Kb/7P
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRHF7110 Datasheet pdf image
460Kb/12P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM57264SE Datasheet pdf image
101Kb/8P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRH9150 Datasheet pdf image
109Kb/8P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM7150 Datasheet pdf image
444Kb/12P
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest HOLE


„Dziura” jest jedną z koncepcji stosowanych w teorii półprzewodników.

Semiconductor to pole, które bada działanie elektronów, a przepływ elektronów można wytłumaczyć koncepcją „otworów”, koncepcją związaną z ruchem elektronów i brakiem elektronów w tym samym czasie.

„Dziura” odnosi się do deprywacji elektronów, co jest spowodowane ruchem elektronu z atomu, do którego jest on związany.

Wskazuje to na brak elektronów w związanych atomach.

Te „otwory” mają ładunek dodatni, w przeciwieństwie do elektronów, i wpływają na zachowanie elektryczne.

„Hole” odgrywa ważną rolę w projektowaniu urządzeń półprzewodnikowych.

W szczególności w urządzeniu półprzewodnikowym typu p występuje ruch „otworów” i ruch elektronów.

Te „dziury” służą do ułatwienia ruchu prądu w urządzeniach półprzewodnikowych typu p.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com