Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



IGBT Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'IGBT' - wyników: 287 (1/15) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Powerex Power Semicondu...
QID4515004 Datasheet pdf image
599Kb/7P
Dual IGBT
QI-4515002 Datasheet pdf image
630Kb/7P
Dual IGBT
QI-3320002 Datasheet pdf image
570Kb/7P
Dual IGBT
MG600Q2YS60A Datasheet pdf image
418Kb/6P
Compact IGBT
QID4520002 Datasheet pdf image
507Kb/6P
Dual IGBT
QID1215003 Datasheet pdf image
611Kb/7P
Hybrid IGBT Module
MG400J2YS61A Datasheet pdf image
320Kb/6P
Compact IGBT Series Module
VLA536-01R Datasheet pdf image
296Kb/4P
NX-Series Dual IGBT
MG200Q2YS60A Datasheet pdf image
320Kb/6P
Compact IGBT Series Module
QIQ0645001 Datasheet pdf image
74Kb/3P
Low side Chopper IGBT Module 600V 450A IGBT / 600V 450A Fast Diode
QIQ1245001 Datasheet pdf image
234Kb/2P
Low side Chopper IGBT Module 1200V 450A IGBT / 1200V 750A Fast Diode
QIQ0645002 Datasheet pdf image
77Kb/2P
Low side Chopper IGBT Module 600V 450A IGBT / 600V 450A Fast Diode
VLA507 Datasheet pdf image
207Kb/3P
Hybrid IC IGBT Gate Driver
VLA503-01 Datasheet pdf image
535Kb/6P
Hybrid IC IGBT Gate Driver
QIQ0630003 Datasheet pdf image
93Kb/2P
Low side Chopper IGBT Module
VLA504-01 Datasheet pdf image
532Kb/6P
Hybrid IC IGBT Gate Driver
VLA513-01 Datasheet pdf image
408Kb/3P
Hybrid IC IGBT Gate Driver
CY20AAJ-8F Datasheet pdf image
21Kb/2P
Nch IGBT for STROBE FLASHER
VLA503 Datasheet pdf image
301Kb/6P
Hybrid IC IGBT Gate Driver
VLA507-01 Datasheet pdf image
574Kb/3P
Hybrid IC IGBT Gate Driver

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest IGBT


Izolowana bipolarna tranzystor (IGBT) jest rodzajem elektrycznego urządzenia półprzewodnikowego stosowanego do kontrolowania zastosowań o wysokim napięciu, wysokim prądem, takich jak zasilacze, napędy silnikowe i falowniki. Łączy szybką prędkość przełączania dwubiegunowego tranzystora połączenia (BJT) z kontrolowaną napięciem bramą tranzystora pola-semiconducora-tlenku-tlenku (MOSFET).

IGBT działa przy użyciu MOSFET jako stadium wejściowego i dwubiegunowego tranzystora połączenia jako etapu wyjściowego.

Brama MOSFET jest izolowana od reszty urządzenia, co pozwala na obsługę wysokiego napięcia i poprawę niezawodności.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com