Izolowana bipolarna tranzystor (IGBT) jest rodzajem elektrycznego urządzenia półprzewodnikowego stosowanego do kontrolowania zastosowań o wysokim napięciu, wysokim prądem, takich jak zasilacze, napędy silnikowe i falowniki. Łączy szybką prędkość przełączania dwubiegunowego tranzystora połączenia (BJT) z kontrolowaną napięciem bramą tranzystora pola-semiconducora-tlenku-tlenku (MOSFET).
IGBT działa przy użyciu MOSFET jako stadium wejściowego i dwubiegunowego tranzystora połączenia jako etapu wyjściowego.
Brama MOSFET jest izolowana od reszty urządzenia, co pozwala na obsługę wysokiego napięcia i poprawę niezawodności.
*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.
|
Polish ▼ 
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
