Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



IGBT Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'IGBT' - wyników: 204 (1/11) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
International Rectifier
CPV363MF Datasheet pdf image
453Kb/8P
IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPV362MF Datasheet pdf image
458Kb/8P
IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPU165MF Datasheet pdf image
498Kb/8P
IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPV362M4U Datasheet pdf image
274Kb/10P
UltraFast IGBT IGBT SIP MODULE
CPV364MF Datasheet pdf image
460Kb/8P
IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPU165MU Datasheet pdf image
441Kb/8P
IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT
CPV364MU Datasheet pdf image
456Kb/8P
IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT
CPV362MU Datasheet pdf image
467Kb/8P
IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT
CPV363MU Datasheet pdf image
453Kb/8P
IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT
IRGP50B60PD Datasheet pdf image
868Kb/10P
SMPS IGBT
IRGB20B60PD1 Datasheet pdf image
351Kb/10P
SMPS IGBT
IRGP35B60PD Datasheet pdf image
357Kb/11P
SMPS IGBT
40MT120UH Datasheet pdf image
678Kb/13P
HALF-BRIDGE IGBT MTP UltraFast NPT IGBT
CPU165MK Datasheet pdf image
92Kb/2P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPV362MM Datasheet pdf image
447Kb/8P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT
CPV362MK Datasheet pdf image
460Kb/8P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPV363MK Datasheet pdf image
450Kb/8P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPV363MM Datasheet pdf image
450Kb/8P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT
CPV364MK Datasheet pdf image
447Kb/8P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPU165MM Datasheet pdf image
94Kb/2P
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest IGBT


Izolowana bipolarna tranzystor (IGBT) jest rodzajem elektrycznego urządzenia półprzewodnikowego stosowanego do kontrolowania zastosowań o wysokim napięciu, wysokim prądem, takich jak zasilacze, napędy silnikowe i falowniki. Łączy szybką prędkość przełączania dwubiegunowego tranzystora połączenia (BJT) z kontrolowaną napięciem bramą tranzystora pola-semiconducora-tlenku-tlenku (MOSFET).

IGBT działa przy użyciu MOSFET jako stadium wejściowego i dwubiegunowego tranzystora połączenia jako etapu wyjściowego.

Brama MOSFET jest izolowana od reszty urządzenia, co pozwala na obsługę wysokiego napięcia i poprawę niezawodności.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com