Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



IGBT Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'IGBT' - wyników: 58 (1/3) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Intersil Corporation
HGTG20N120E2 Datasheet pdf image
167Kb/5P
34A, 1200V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG24N60D1 Datasheet pdf image
32Kb/4P
24A, 600V N-Channel IGBT
May 1995
HGTG34N100E2 Datasheet pdf image
38Kb/5P
34A, 1000V N-Channel IGBT
April 1995
HGTP12N60D1 Datasheet pdf image
31Kb/4P
12A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG20N100D2 Datasheet pdf image
36Kb/5P
20A, 1000V N-Channel IGBT
May 1995
HGTA32N60E2 Datasheet pdf image
31Kb/4P
32A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG30N120D2 Datasheet pdf image
40Kb/5P
30A, 1200V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG32N60E2 Datasheet pdf image
33Kb/4P
32A, 600V N-Channel IGBT
April 1995
HGTG30N60A4 Datasheet pdf image
92Kb/8P
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTD3N60A4S Datasheet pdf image
156Kb/10P
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTD7N60A4S Datasheet pdf image
168Kb/11P
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
June 2000
HGTG40N60A4 Datasheet pdf image
93Kb/8P
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
April 2000
HGTP12N60A4 Datasheet pdf image
115Kb/10P
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
May 1999
HGTD1N120BNS Datasheet pdf image
71Kb/7P
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG11N120CN Datasheet pdf image
81Kb/7P
43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG20N120CN Datasheet pdf image
83Kb/7P
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTP5N120CN Datasheet pdf image
80Kb/7P
25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG18N120BN Datasheet pdf image
84Kb/7P
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG30N60B3 Datasheet pdf image
105Kb/7P
60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
January 2000
HGTG40N60C3 Datasheet pdf image
79Kb/7P
75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
January 2000

1 2 3 >


1 2 3 >



Co to jest IGBT


Izolowana bipolarna tranzystor (IGBT) jest rodzajem elektrycznego urządzenia półprzewodnikowego stosowanego do kontrolowania zastosowań o wysokim napięciu, wysokim prądem, takich jak zasilacze, napędy silnikowe i falowniki. Łączy szybką prędkość przełączania dwubiegunowego tranzystora połączenia (BJT) z kontrolowaną napięciem bramą tranzystora pola-semiconducora-tlenku-tlenku (MOSFET).

IGBT działa przy użyciu MOSFET jako stadium wejściowego i dwubiegunowego tranzystora połączenia jako etapu wyjściowego.

Brama MOSFET jest izolowana od reszty urządzenia, co pozwala na obsługę wysokiego napięcia i poprawę niezawodności.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com