MODE Datasheet(PDF) - UN6502N420-T20 - UN Semiconducctor INC

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

MODE Arkusz danych, PDF

: Ultralife Corporation.(2)UN Semiconducctor INC(107)Unisonic Technologies(417)Unitpower Technology Limited(2)VACUUMSCHMELZE GmbH & Co. KG(73)VBsemi Electronics Co.,Ltd(4)Vicor Corporation(7)Vishay Siliconix(84)Vishay Telefunken(2)VITALCONN ELECTRONICS HK LTD.(2)Vitesse Semiconductor Corporation(3)WAGO Kontakttechnik GmbH & Co. KG(74)WALSIN TECHNOLOGY CORPORATION(2)Weidmuller(14)Weitron Technology(69)White Electronic Designs Corporation(2)Will Semiconductor Ltd.(6)WILLAS ELECTRONIC CORP(4)Winbond(19)Wing Shing Computer Components(2)Wolfson Microelectronics plc(3)WOLFSPEED, INC.(65)Wurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.(274)Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd(574)Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD(416)Wuxi Youda electronics Co.,LTD(2)XFMRS Inc.(532)Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.(170)Xilinx, Inc(1)YAGEO Corporation(1)Yangzhou yangjie electronic co., ltd(127)Zarlink Semiconductor Inc(2)Zetex Semiconductors(284)Zhaoxingwei Electronics ., Ltd(5)Zibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd(4)Zilog, Inc.(1)ZP Semiconductor(81)
: More Close

Szukane słowo kluczowe : 'MODE' - wyników: 107 (1/6) Pages

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
UN Semiconducctor INC	UN6502N420-T20	5Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN6502N420-T20F	5Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN0603N011-PD56	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN1003N026-T52	4Mb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN1016N3R2-T63	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN300N32T	3Mb/7P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN300N52TE	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN304N23T	5Mb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN0301P9R5-S08	4Mb/9P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN0308N6R0-S08	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN0406N6R5-S08	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN500N32TE	6Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN047N015-S08	4Mb/9P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN200N23TE	5Mb/8P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN200N88DE	3Mb/7P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN200P88DE	4Mb/7P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN201P23T	5Mb/9P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN201P26T	4Mb/8P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN201P52TE	5Mb/7P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022
	UN2N7002K	3Mb/7P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Revision March 1,2022

1 2 3 4 5 6 >

1 2 3 4 5 > >>

Co to jest MODE

„Tryb” to termin, który ma wiele zastosowań w elementach elektronicznych.

Różne tryby istnieją w zależności od działania komponentu elektronicznego.

Na przykład tutaj jest opis trybów niektórych elementów elektronicznych.

Tryby tranzystora połączenia dwubiegunowego (BJT): BJT zwykle działają w trzech trybach: tryb aktywny, tryb nasycenia i tryb blokowania.

W trybie agresywnym stosuje się napięcie na kombinację i przepływy prądu, podczas gdy w trybie nasycenia stosuje się napięcie prawie maksimum na kombinację kolekcjonera bazowego, co powoduje maksymalny prąd.

W trybie wyłączania stosuje się bardzo niewielkie napięcie na sprzężeniu podstawowym, więc nie przepływa prądu.

Tryby tranzystora pola-semiconductor-semiconductor (MOSFET): MOSFETS zwykle działają w trzech trybach: tryb rozpadu kanału, tryb nasycenia i tryb odcięcia.

W trybie rozpadu kanału napięcie bramki służy do osłabienia napięcia kanału, aw trybie nasycenia napięcie bramki wystarczająco rozszerza kanał, aby umożliwić przepływ prądu.

W trybie blokowania napięcie bramki zapobiega przepływowi jakiegokolwiek prądu przez kanał.

Tryby diod emitujących światło (LED): LED zwykle działają w trybie agresywnym, emitując światło po zastosowaniu napięcia.

W komponentach elektronicznych tryb jest jednym z ważnych terminów opisujących, jak działa ten komponent.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com