MODE Datasheet(PDF) - BSH207 - NXP Semiconductors

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

MODE Arkusz danych, PDF

: ALL A1 PROs co., Ltd.(1)AAEON Technology(2)ABCO ELECTRONICS CO.LTD(1)Abracon Corporation(43)Accetek Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.(5)ACE Technology Co., LTD.(191)Active-Semi, Inc(1)ADDtek Corp(1)ADTech(1)Advanced Analog Technology, Inc.(2)Advanced Analogic Technologies(2)Advanced Linear Devices(26)Advanced Micro Devices(21)Advanced Monolithic Systems Ltd(3)Advanced Power Electronics Corp.(1196)Advanced Power Technology(447)Advanced Semiconductor(22)Advanced XTAL Products(1)Advantech Co., Ltd.(29)Aeroflex Circuit Technology(2)Agere Systems(1)Agilent(Hewlett-Packard)(26)Aimtron Technology(1)AiT Semiconductor Inc.(95)Allegro MicroSystems(21)Alliance Semiconductor Corporation(10)Allied Components International(59)Alpha & Omega Semiconductors(502)Alpha Industries(9)ALPS ELECTRIC CO.,LTD.(3)Altera Corporation(8)America Semiconductor, LLC(1)AMIC Technology(23)Anachip Corp(40)ANADIGICS, Inc(9)Analog Devices(97)Analog Intergrations Corporation(5)Analog Technologies, Inc.(1)Anpec Electronics Coropration(165)API Delevan(14)Arch Electronics Corp.(4)Artesyn Technologies(18)ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.(3)Asahi Kasei Microsystems(4)ATMEL Corporation(54)AUK corp(29)Austin Semiconductor(9)AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED(62)AVX Corporation(2)AZ Displays(1)Banner Engineering Corp.(3)BCD Semiconductor Manufacturing Limited(13)Beijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd.(84)Bel Fuse Inc.(11)Belden Inc.(3)Bi technologies(10)Bookham, Inc.(2)Bookly Micro electronic(8)Bothhand USA, LP.(47)Bourns Electronic Solutions(29)Broadcom Corporation.(54)Bruckewell Technology LTD(42)Burr-Brown (TI)(2)C&D Technologies(7)California Eastern Labs(5)California Micro Devices Corp(3)Calogic, LLC(31)CAMBION Electronic Components(1)Catalyst Semiconductor(10)Central Semiconductor Corp(234)Central Technologies(32)CET-MOS Technology Corp.(588)Champion Microelectronic Corp.(14)Chenmko Enterprise Co. Ltd.(191)Cherry Semiconductor Corporation(15)Chino-Excel Technology(576)Chip Integration Technology Corporation(9)Chrontel, Inc.(1)Clare, Inc.(16)CML Microcircuits(2)Coilcraft lnc.(37)Comchip Technology(5)Compact Technology Corp.(7)Comset Semiconductor(8)CONEC Elektronische Bauelemente GmbH(2)Cooper Bussmann, Inc.(1)COSMO Electronics Corporation(1)Cree, Inc(8)CRYSTEK CORPORATION(1)Crystek Corporation(3)Cyntec Co., Ltd.(3)Cypress Semiconductor(3)Cystech Electonics Corp.(1142)DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.(365)Daewoo Semiconductor(2)Dallas Semiconductor(1)Datatronic Distribution, Inc.(5)DATEL, Inc.(1)Delta Electronics, Inc.(11)Dialog Semiconductor(33)Diodes Incorporated(2318)Diotec Semiconductor(24)Diotech Company.(3)DONG IL TECHNOLOGY LTD.(6)Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD(4)Dongguan Mentech Optical & Magnetic Co., Ltd.(8)Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,(36)Dongguan Xinkang Electronic Technology Co., Ltd.(2)DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD(189)E&E Magnetic Products Limited(2)E-Tech Electronics LTD(75)Eaton All Rights Reserved.(6)Efficient Power Conversion Corporation.(60)Elantec Semiconductor(8)Elite Semiconductor Memory Technology Inc.(4)ELM Electronics(3)ELMOS Semiconductor AG(4)Elpida Memory(1)EM Microelectronic - MARIN SA(2)Emerging Memory & Logic Solutions Inc(2)Emerson Network Power(5)Enpirion, Inc.(17)Eon Silicon Solution Inc.(13)EPCOS(10)Espros Photonics corp(4)Estek Electronics Co. Ltd(13)ETA SOLUTIONS CO. LIMITED(3)ETAL Group(1)EUROQUARTZ limited(3)Eutech Microelectronics Inc(10)Exar Corporation(6)Excelliance MOS Corp.(497)Extech Instruments Corporation.(2)Exxelia Group(1)
: More Close

Szukane słowo kluczowe : 'MODE' - wyników: 179 (3/9) Pages

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
NXP Semiconductors	BSH207	155Kb/7P	P-channel enhancement mode MOS transistor August 1998 Rev 1.000
	PHN110	79Kb/12P	N-channel enhancement mode MOS transistor 1997 Jun 17
	PSMN008-75P	132Kb/14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-18 September 2000
	PSMN003-30P	291Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-23 October 2001
	PHP98N03LT	287Kb/14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-18 October 2001
	PHN203	98Kb/7P	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor January 1999 Rev 1.000
	PHP206	54Kb/8P	Dual P-channel enhancement mode MOS transistor 1998 Feb 05
	PHP222	54Kb/8P	Dual P-channel enhancement mode MOS transistor 1998 Apr 01
	SI9925DY	272Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-20 July 2001
	BSN20	296Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03-26 June 2000
	TJA1042T	149Kb/22P	High-speed CAN transceiver with Standby mode Rev. 7-8 May 2012
	BSH121	297Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 August 2000
	PH8230	214Kb/12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-23 June 2003
	BSH111	115Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-26 April 2002
	PHD83N03LT	282Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb/14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb/14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb/14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb/13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >

< 1 2 3 4 5 > >>

Co to jest MODE

„Tryb” to termin, który ma wiele zastosowań w elementach elektronicznych.

Różne tryby istnieją w zależności od działania komponentu elektronicznego.

Na przykład tutaj jest opis trybów niektórych elementów elektronicznych.

Tryby tranzystora połączenia dwubiegunowego (BJT): BJT zwykle działają w trzech trybach: tryb aktywny, tryb nasycenia i tryb blokowania.

W trybie agresywnym stosuje się napięcie na kombinację i przepływy prądu, podczas gdy w trybie nasycenia stosuje się napięcie prawie maksimum na kombinację kolekcjonera bazowego, co powoduje maksymalny prąd.

W trybie wyłączania stosuje się bardzo niewielkie napięcie na sprzężeniu podstawowym, więc nie przepływa prądu.

Tryby tranzystora pola-semiconductor-semiconductor (MOSFET): MOSFETS zwykle działają w trzech trybach: tryb rozpadu kanału, tryb nasycenia i tryb odcięcia.

W trybie rozpadu kanału napięcie bramki służy do osłabienia napięcia kanału, aw trybie nasycenia napięcie bramki wystarczająco rozszerza kanał, aby umożliwić przepływ prądu.

W trybie blokowania napięcie bramki zapobiega przepływowi jakiegokolwiek prądu przez kanał.

Tryby diod emitujących światło (LED): LED zwykle działają w trybie agresywnym, emitując światło po zastosowaniu napięcia.

W komponentach elektronicznych tryb jest jednym z ważnych terminów opisujących, jak działa ten komponent.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com