Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

KEC(Korea Electronics)(115)Kersemi Electronic Co., Ltd.(442)KIA Semiconductor Technology(132)KODENSHI_AUK CORP.(90)Kyocera Kinseki Corpotation(7)Leadtrend Technology(1)Leshan Radio Company(287)Linear Dimensions Semiconductor(3)Linear Integrated Systems(8)Linear Technology(56)List of Unclassifed Manufacturers(70)List of Unclassifed Manufacturers(48)Littelfuse(7)Lowpower Semiconductor inc(8)Lucky Light Electronic(10)M-System Co.,Ltd.(1)M.S. Kennedy Corporation(42)M/A-COM Technology Solutions, Inc.(167)MacMic(7)MagnaChip Semiconductor.(289)Major-Power Technology Co., LTD.(1)MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED(1)Maxim Integrated Products(83)Maxwell Technologies(1)Meder Electronic(7)MIC GROUP RECTIFIERS(9)Micrel Semiconductor(75)Micro Commercial Components(42)Microchip Technology(148)Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.(2)Micropac Industries(10)Microsemi Corporation(534)Micross Components(92)Mitsubishi Electric Semiconductor(118)Monolithic Power Systems(7)MORNSUN Science& Technology Ltd.(1)Motorola, Inc(93)MUSIC Semiconductors(1)Nanjing International Group Co(29)National Instruments Corporation(6)National Semiconductor (TI)(11)NEC(140)Nell Semiconductor Co., Ltd(56)New Japan Radio(8)New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.(72)Nexperia B.V. All rights reserved(1022)Nihon Inter Electronics Corporation(15)NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.(7)NTE Electronics(89)NXP Semiconductors(426)NXP Semiconductors(331)Omron Electronics LLC(2)ON Semiconductor(2890)OPTEK Technologies(1)OSRAM GmbH(1)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 118 (1/6) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Mitsubishi Electric Sem...
FS10UM-5 Datasheet pdf image
43Kb/4P
NCH OIWER MOSFET
M63975FP Datasheet pdf image
47Kb/5P
IGBT MOSFET DRIVER
RA06H8285M Datasheet pdf image
61Kb/8P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07H0608M Datasheet pdf image
64Kb/9P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07N4047M Datasheet pdf image
62Kb/9P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA30H3340M Datasheet pdf image
108Kb/9P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07M3340M Datasheet pdf image
67Kb/9P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07M2127M Datasheet pdf image
61Kb/9P
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RD01MUS2 Datasheet pdf image
251Kb/6P
Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W
RD15HVF1 Datasheet pdf image
406Kb/9P
Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W
RD16HHF1 Datasheet pdf image
282Kb/8P
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W
RD30HUF1 Datasheet pdf image
404Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
RD15HVF1 Datasheet pdf image
334Kb/10P
Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W
RD30HVF1 Datasheet pdf image
401Kb/8P
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
RD06HHF1 Datasheet pdf image
204Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W
RD20HMF1 Datasheet pdf image
362Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor,900MHz,20W
RD09MUP2 Datasheet pdf image
152Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W
RD100HHF1 Datasheet pdf image
267Kb/8P
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
RD45HMF1 Datasheet pdf image
321Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W
RD12MVP1 Datasheet pdf image
124Kb/7P
Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W

1 2 3 4 5 6 >


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com