Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Pan Jit International Inc.(775)Panasonic Battery Group(10)Panasonic Semiconductor(36)PEAK electronics GmbH(4)Peregrine Semiconductor(4)Peregrine Semiconductor Corp.(12)PFC Device Inc.(140)Power Integrations, Inc.(11)Powerex Power Semiconductors(363)Powersem GmbH(13)Princeton Technology Corp(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(21)Rectron Semiconductor(80)Renesas Technology Corp(493)Richtek Technology Corporation(45)Rohm(1496)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(403)SamHop Microelectronics Corp.(11)Samsung semiconductor(10)Samtec, Inc(1)Sanken electric(215)SanRex Corporation(6)Sanyo Semicon Device(437)Schneider Electric(16)Schurter Inc.(2)SEC Electronics Inc.(5)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(893)Seme LAB(201)SemiHow Co.,Ltd.(246)Semikron International(51)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Sensitron(149)Shanghai awinic technology co.,ltd(1)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(416)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(12)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(8)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(221)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(14)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(288)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(485)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(2)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(31)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(164)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(163)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(3)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)SHIKUES Electronics(83)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(184)Siemens Semiconductor Group(24)SIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED(6)Silan Microelectronics Joint-stock(37)Silicon Standard Corp.(115)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Supplies(3)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(116)Sinopower Semiconductor Inc(586)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(3)Skyworks Solutions Inc.(2)Solid State Optronic(2)Solid States Devices, Inc(443)SparkFun Electronics(1)Stanson Technology(124)STATEK CORPORATION(2)STMicroelectronics(2083)Sumida Corporation(1)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Suntac Electronic Corp.(24)Supertex, Inc(49)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(496)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)TECH PUBLIC Electronics co LTD(217)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)TelCom Semiconductor, Inc(14)Teledyne Technologies Incorporated(2)TEMIC Semiconductors(5)Texas Instruments(120)Texas Instruments(222)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(90)Tiger Electronic Co.,Ltd(20)TOKO, Inc(1)Torex Semiconductor(101)Toshiba Semiconductor(35)TRANSYS Electronics Limited(12)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(6)Tripath Technology Inc.(1)TriQuint Semiconductor(19)TT Electronics.(4)TY Semiconductor Co., Ltd(6)Tyco Electronics(43)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 426 (1/22) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
NXP Semiconductors
PMCPB5530X Datasheet pdf image
1Mb/18P
20 V, complementary Trench MOSFET
Rev. 1-26 June 2012
PMCM4401VNE Datasheet pdf image
325Kb/15P
12V, N-channel Trench MOSFET
24 July 2015
BF1208 Datasheet pdf image
167Kb/22P
Dual N-channel dual gate MOSFET
Rev. 01-16 March 2005
PMZB550UNE Datasheet pdf image
224Kb/15P
30 V, N-channel Trench MOSFET
25 March 2015
PMV65XPEA Datasheet pdf image
245Kb/16P
20 V, P-channel Trench MOSFET
27 November 2014
PMV75UP Datasheet pdf image
279Kb/15P
20 V, P-channel Trench MOSFET
25 April 2014
PMV250EPEA Datasheet pdf image
251Kb/16P
40 V, P-channel Trench MOSFET
20 June 2014
PMXB43UNE Datasheet pdf image
253Kb/15P
20 V, N-channel Trench MOSFET
19 September 2013
PMZ390UNE Datasheet pdf image
221Kb/14P
30 V, N-channel Trench MOSFET
12 March 2015
PMZ550UNE Datasheet pdf image
224Kb/15P
30 V, N-channel Trench MOSFET
25 March 2015
PMZ950UPE Datasheet pdf image
237Kb/15P
20 V, P-channel Trench MOSFET
10 July 2014
PMV16XN Datasheet pdf image
263Kb/15P
20 V, N-channel Trench MOSFET
11 November 2014
PMPB11EN Datasheet pdf image
273Kb/15P
30 V N-channel Trench MOSFET
14 January 2014
PMZB150UNE Datasheet pdf image
228Kb/15P
20 V, N-channel Trench MOSFET
24 March 2015
PMXB360ENEA Datasheet pdf image
225Kb/15P
80 V, N-channel Trench MOSFET
16 September 2013
PMV48XPA Datasheet pdf image
257Kb/15P
20 V, P-channel Trench MOSFET
10 March 2014
BF1208D Datasheet pdf image
253Kb/22P
Dual N-channel dual gate MOSFET
Rev. 01-16 May 2007
BF1210 Datasheet pdf image
252Kb/21P
Dual N-channel dual gate MOSFET
Rev. 01-25 October 2006
NX7002BKM Datasheet pdf image
242Kb/16P
60 V, N-channel Trench MOSFET
3 December 2014
PMCM6501VPE Datasheet pdf image
367Kb/15P
12 V, P-channel Trench MOSFET
10 August 2015

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com