Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



MOSFET Arkusz danych, PDF

Pan Jit International Inc.(775)Panasonic Battery Group(10)Panasonic Semiconductor(36)PEAK electronics GmbH(4)Peregrine Semiconductor(4)Peregrine Semiconductor Corp.(12)PFC Device Inc.(140)Power Integrations, Inc.(11)Powerex Power Semiconductors(363)Powersem GmbH(13)Princeton Technology Corp(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(21)Rectron Semiconductor(80)Renesas Technology Corp(493)Richtek Technology Corporation(45)Rohm(1496)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(403)SamHop Microelectronics Corp.(11)Samsung semiconductor(10)Samtec, Inc(1)Sanken electric(215)SanRex Corporation(6)Sanyo Semicon Device(437)Schneider Electric(16)Schurter Inc.(2)SEC Electronics Inc.(5)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(893)Seme LAB(201)SemiHow Co.,Ltd.(246)Semikron International(51)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(21)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(2)Sensitron(149)Shanghai awinic technology co.,ltd(1)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(416)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(12)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(8)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(221)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(14)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(288)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(485)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd(2)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(31)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(164)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(163)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(3)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(2)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)SHIKUES Electronics(83)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(184)Siemens Semiconductor Group(24)SIFIRST TECHNOLOGIES NANHAI LIMITED(6)Silan Microelectronics Joint-stock(37)Silicon Standard Corp.(115)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Supplies(3)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(116)Sinopower Semiconductor Inc(586)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(3)Skyworks Solutions Inc.(2)Solid State Optronic(2)Solid States Devices, Inc(443)SparkFun Electronics(1)Stanson Technology(124)STATEK CORPORATION(2)STMicroelectronics(2083)Sumida Corporation(1)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Suntac Electronic Corp.(24)Supertex, Inc(49)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(496)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)TECH PUBLIC Electronics co LTD(217)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)TelCom Semiconductor, Inc(14)Teledyne Technologies Incorporated(2)TEMIC Semiconductors(5)Texas Instruments(120)Texas Instruments(222)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(90)Tiger Electronic Co.,Ltd(20)TOKO, Inc(1)Torex Semiconductor(101)Toshiba Semiconductor(35)TRANSYS Electronics Limited(12)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(6)Tripath Technology Inc.(1)TriQuint Semiconductor(19)TT Electronics.(4)TY Semiconductor Co., Ltd(6)Tyco Electronics(43)
More
Szukane słowo kluczowe : 'MOSFET' - wyników: 222 (1/12) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Texas Instruments
SN75372PSR Datasheet pdf image
735Kb/19P
DUAL MOSFET DRIVER
SN75374 Datasheet pdf image
533Kb/19P
QUADRUPLE MOSFET DRIVER
CSD13383F4 Datasheet pdf image
764Kb/13P
N-Channel FemtoFET MOSFET
LP2975 Datasheet pdf image
2Mb/37P
MOSFET LDO Driver/Controller
TPS2811 Datasheet pdf image
1Mb/38P
DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
CSD18563Q5A Datasheet pdf image
825Kb/13P
N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD13201W10 Datasheet pdf image
1Mb/13P
N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD16413Q5A Datasheet pdf image
342Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD17382F4 Datasheet pdf image
591Kb/13P
30V N-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25480F3 Datasheet pdf image
1Mb/14P
20V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD16321Q5 Datasheet pdf image
554Kb/12P
N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD13303W1015 Datasheet pdf image
859Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD18510Q5B Datasheet pdf image
565Kb/13P
N-Channel NexFET Power MOSFET
TPS2811 Datasheet pdf image
1Mb/40P
DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS
CSD16406Q3 Datasheet pdf image
385Kb/13P
N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD19532KTT Datasheet pdf image
372Kb/12P
N-Channel NexFET Power MOSFET
TPIC2406 Datasheet pdf image
208Kb/13P
INTELLIGENT-POWER QUAD MOSFET LATCH
CSD25201W15 Datasheet pdf image
323Kb/9P
P-Channel NexFET??Power MOSFET
TPS2811-Q1 Datasheet pdf image
998Kb/30P
DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIVER
CSD16401Q5 Datasheet pdf image
332Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest MOSFET


Tranzystor pola (MOSFET) (MOSFET) (MOSFET) jest rodzajem urządzenia półprzewodnikowego, stosowania zastosowań o dużej mocy, na przykład w zasilaczach, napędach silnikowych i falowników.

Jest to rodzaj tranzystora efektu pola (FET), co oznacza, że ​​działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu między jego źródłem a zaciskami spustowymi za pomocą pola elektrycznego.

W MOSFET przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia cienką warstwą izolacyjną.

Napięcie bramki kontroluje szerokość kanału między zaciskami źródłowymi i spustowymi, co określa przepływ prądu przez urządzenie.

Istnieją dwa główne typy MOSFET: N-kanał i kanał P. Mosfety N-kanałów mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu N, podczas gdy MOSFET w kanale P mają kanał, który jest domieszkowany materiałem typu p.

MOSFETS oferują kilka zalet w porównaniu z innymi rodzajami półprzewodników mocy, w tym wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoką wydajność.

Są również wysoce wszechstronne i mogą być używane w różnych zastosowaniach, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Jednak MOSFET mają również pewne wady, w tym ograniczoną ocenę napięcia i potrzebę sterowania urządzeniem.

Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com