Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

PACELEADER INDUSTRIAL(18)Pan Jit International Inc.(760)Panasonic Battery Group(7)Panasonic Semiconductor(205)PANDUIT CORP.(1)Pasternack Enterprises, Inc.(3382)PCA ELECTRONICS INC.(3)PEAK electronics GmbH(3)Pepperl+Fuchs Inc.(1)Peregrine Semiconductor(16)Peregrine Semiconductor Corp.(21)Pericom Semiconductor Corporation(87)PerkinElmer Optoelectronics(9)PFC Device Inc.(140)Phihong USA Inc.(13)PHOENIX CONTACT(426)Pico Technology Ltd.(2)PMC-Sierra, Inc(21)Pomona Electronics(23)Potato Semiconductor Corporation(10)Potens Semiconductor Corp.(2)Power Analog Micoelectronics(4)Power Integrations, Inc.(1)Powerbox(71)PowerDynamics, Inc(2)Powersem GmbH(9)Powersoft S.p.A.(1)Princeton Technology Corp(22)Pulse A Technitrol Company(6)Qorvo, Inc(26)Quantum Research Group(1)Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.(72)QUARTZCOM the communications company(3)R & E International, Inc.(1)Radiocrafts AS.(2)Radiometrix Ltd(64)Ralston Instruments.(4)Raytheon Company(1)Realtek Semiconductor Corp.(54)Rectron Semiconductor(82)Red Lion Controls. Inc(6)Renesas Technology Corp(2614)RF Micro Devices(71)RF Monolithics, Inc(4)RFE international(1)Rhombus Industries Inc.(1)RHOPOINT COMPONENTS(3)Richco, Inc.(3)Richtek Technology Corporation(76)Rohm(297)Roithner LaserTechnik GmbH(3)Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG(96)RSG Electronic Components GmbH(1)Ruichips Semiconductor Co., Ltd(399)Sames(5)SamHop Microelectronics Corp.(328)Samsung semiconductor(80)SAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.(1)Sanken electric(235)Sanyo Semicon Device(830)Savantic, Inc.(1)Schneider Electric(132)Sciosense B.V.(6)Seaward Electronics Inc.(2)SEC Electronics Inc.(6)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(1016)Seiko Instruments Inc(2)Seme LAB(322)SemiHow Co.,Ltd.(248)Semikron International(1)SemiWell Semiconductor(42)Semtech Corporation(30)SEMTECH ELECTRONICS LTD.(10)Sensitron(129)SG Micro Corp(27)Shanghai awinic technology co.,ltd(7)SHANGHAI BELLING CO., LTD.(34)Shanghai Consonance Electronics Incorporated(2)Shanghai Cyanlite Technology Co., Ltd.(1)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(483)Shanghai Orient-Chip Technology Co.,LTD.(2)SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD(46)Sharp Corporation(11)SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR(1)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1767)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(222)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(78)Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd(205)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(568)Shenzhen hui lida electronic co., LTD(27)Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.(16)SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.(1)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(11)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(155)Shenzhen Naxinwei Technology Co., Ltd.(3)Shenzhen Putianhe Technology Co., Ltd(13)Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.(37)SHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.(1)Shenzhen Tenand Technology Co., Ltd.(1)Shenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd.(2)Shenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co(168)Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd(157)Shenzhen X-Powers Technology Co ., Ltd(1)ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.(52)Shenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd.(1)Shenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd.(4)SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD(2)Shenzhenshi YONGFUKANG Technology co.,LTD(20)SHIKUES Electronics(102)Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd(115)SHOUDING Shouding Semiconductor(2)Siemens Semiconductor Group(274)SiGe Semiconductor, Inc.(8)Silan Microelectronics Joint-stock(7)Silergy Corp.(2)Silicon image(4)Silicon Laboratories(40)Silicon Mitus, Inc.(6)Silicon Standard Corp.(148)Silicon Storage Technology, Inc(1)Silicon Touch Technology Inc.(25)Silonex Inc.(1)Silver Telecom 2019(1)Sinopower Semiconductor Inc(586)Sipex Corporation(36)SiPower Inc.(6)Sirectifier Global Corp.(7)Sitronix Technology Co., Ltd.(1)Skyworks Solutions Inc.(43)SMSC Corporation(15)Socay Electornics Co., Ltd.(6)Solid State Optronic(1)Solid States Devices, Inc(296)Solitron Devices Inc.(4)SONiX Technology Company(228)Sony Corporation(47)Source Photonics, Inc.(9)SparkFun Electronics(33)Sparkle Power Inc.(1)Spectrum Microwave, Inc.(1)Stanson Technology(165)STATEK CORPORATION(3)STI Vibration Monitoring Inc.(2)STMicroelectronics(2927)Sumida Corporation(1)Summit Microelectronics, Inc.(33)SUNMATE electronic Co., LTD(21)Sunspirit Electronic Ltd(1)Suntac Electronic Corp.(4)Suntsu Electronics, Inc.(7)Supertex, Inc(461)Synaptics Incorporated.(7)SYNC POWER Crop.(359)Tachyonics CO,. LTD(2)TAITRON Components Incorporated(1)Taiwan Memory Technology(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(507)Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc(1)Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd(31)Taoglas antenna solutions(5)TDK Electronics(1)TE Connectivity Ltd(59)TECH PUBLIC Electronics co LTD(241)TECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.(1)Technology Dynamics Inc.(3)TEKTRONIX, INC.(6)Teledyne Technologies Incorporated(2)Telit loT Solutions(4)TEMIC Semiconductors(17)Teridian Semiconductor Corporation(2)Testo SE & Co. KGaA(1)TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS(6)Texas Instruments(1403)Texas Instruments(1656)THine Electronics, Inc.(10)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(162)THOR communications(5)Tiger Electronic Co.,Ltd(21)Tontek Design Technology(4)Torex Semiconductor(70)Toshiba Semiconductor(2057)Total Power International(11)Touchstone Semiconductor Inc(2)TP-Link Technologies Co., Ltd.(20)Transys Electronics(4)TRIAD MAGNETICS(1)TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.(5)Tripath Technology Inc.(9)Tripp Lite. All Rights Reserved(17)TriQuint Semiconductor(41)TT Electronics.(13)TY Semiconductor Co., Ltd(8)Tyco Electronics(265)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 1403 (1/71) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Texas Instruments
CSD16301Q2 Datasheet pdf image
183Kb/9P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD16325Q5 Datasheet pdf image
242Kb/10P
N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD16340Q3 Datasheet pdf image
241Kb/9P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD16411Q3 Datasheet pdf image
358Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD16301Q2 Datasheet pdf image
175Kb/10P
N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD16408Q5 Datasheet pdf image
204Kb/10P
N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD16342Q5A Datasheet pdf image
2Mb/12P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD16412Q5A Datasheet pdf image
346Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD16322Q5 Datasheet pdf image
287Kb/10P
N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD16404Q5A Datasheet pdf image
511Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD16410Q5A Datasheet pdf image
343Kb/11P
N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17306Q5A Datasheet pdf image
358Kb/10P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17305Q5A Datasheet pdf image
358Kb/10P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17301Q5A_101 Datasheet pdf image
509Kb/11P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17311Q5 Datasheet pdf image
374Kb/10P
30V N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD17301Q5A Datasheet pdf image
509Kb/11P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17313Q2 Datasheet pdf image
327Kb/9P
30V N-Channel NexFET??Power MOSFET
CSD17510Q5A Datasheet pdf image
343Kb/10P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17307Q5A Datasheet pdf image
355Kb/10P
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs
CSD17303Q5 Datasheet pdf image
369Kb/9P
30V N-Channel NexFET??Power MOSFET

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com