Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

UN Semiconducctor INC(120)Union Semiconductor, Inc.(23)Unisonic Technologies(1193)United Monolithic Semiconductors(6)Unitpower Technology Limited(80)Vaishali Semiconductor(16)Varitronix international limited(2)VBsemi Electronics Co.,Ltd(8813)Vicor Corporation(4)VIGO Photonics S.A.(4)Vishay Siliconix(5663)Vishay Telefunken(334)Vitesse Semiconductor Corporation(19)WAGO Kontakttechnik GmbH & Co. KG(359)Wall Industries,Inc.(9)WECO ELECTRICAL CONNECTORS INC.(6)Weidmuller(30)Weitron Technology(80)Will Semiconductor Ltd.(129)WILLAS ELECTRONIC CORP(12)Winbond(20)Winchester Electronics Corporation(163)WISDOM INTERNATIONAL TECHNOLOGIES LIMITED(1)Wisdom technologies Int`l(45)Wolfson Microelectronics plc(44)WOLFSPEED, INC.(65)WONGSHI ENTERPRISE LIMITED(4)World Produts Inc.(4)WORLDSEMI CO., LIMITED(3)Wurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.(1)Wuxi ETEK Micro-Electronics Co.,Ltd.(1)Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd(636)Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD(417)Wuxi Unigroup Microelectronics Company(19)Wuxi Youda electronics Co.,LTD(4)XFMRS Inc.(10)Xiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd(2)Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.(273)Xilinx, Inc(2)YAMAHA CORPORATION(2)Yangzhou yangjie electronic co., ltd(128)Yea Shin Technology Co., Ltd(1)YOBON TECHNOLOGIES,INC.(1)Z-Communications, Inc(5)Zarlink Semiconductor Inc(58)Zentrum Mikroelektronik Dresden AG(2)Zetex Semiconductors(273)Zhaoxingwei Electronics ., Ltd(8)Zibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd(14)ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG(2)Zilog, Inc.(1)ZP Semiconductor(143)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 1193 (1/60) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Unisonic Technologies
UT7422-H Datasheet pdf image
254Kb/7P
N-CHANNEL MOSFET
UT8067 Datasheet pdf image
200Kb/5P
N-CHANNEL MOSFET
2N70K-MT Datasheet pdf image
351Kb/7P
N-CHANNEL ENHANCEMENT
UT6898 Datasheet pdf image
214Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT
UT3416-H Datasheet pdf image
240Kb/5P
N-CHANNEL MOSFET
TF202 Datasheet pdf image
73Kb/2P
N-CHANNEL JFET
1N40A Datasheet pdf image
183Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT
1N60-KW Datasheet pdf image
267Kb/7P
N-CHANNEL ENHANCEMENT
UT6898 Datasheet pdf image
200Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT
UTD408 Datasheet pdf image
201Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT70N03 Datasheet pdf image
151Kb/3P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTM2513 Datasheet pdf image
218Kb/4P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT2304 Datasheet pdf image
229Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT2306 Datasheet pdf image
242Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT4404 Datasheet pdf image
240Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT4406 Datasheet pdf image
207Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UMBF170 Datasheet pdf image
153Kb/2P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD410 Datasheet pdf image
263Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT2306 Datasheet pdf image
258Kb/5P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT8205A Datasheet pdf image
223Kb/3P
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com