Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

UN Semiconducctor INC(120)Union Semiconductor, Inc.(23)Unisonic Technologies(1193)United Monolithic Semiconductors(6)Unitpower Technology Limited(80)Vaishali Semiconductor(16)Varitronix international limited(2)VBsemi Electronics Co.,Ltd(8813)Vicor Corporation(4)VIGO Photonics S.A.(4)Vishay Siliconix(5663)Vishay Telefunken(334)Vitesse Semiconductor Corporation(19)WAGO Kontakttechnik GmbH & Co. KG(359)Wall Industries,Inc.(9)WECO ELECTRICAL CONNECTORS INC.(6)Weidmuller(30)Weitron Technology(80)Will Semiconductor Ltd.(129)WILLAS ELECTRONIC CORP(12)Winbond(20)Winchester Electronics Corporation(163)WISDOM INTERNATIONAL TECHNOLOGIES LIMITED(1)Wisdom technologies Int`l(45)Wolfson Microelectronics plc(44)WOLFSPEED, INC.(65)WONGSHI ENTERPRISE LIMITED(4)World Produts Inc.(4)WORLDSEMI CO., LIMITED(3)Wurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.(1)Wuxi ETEK Micro-Electronics Co.,Ltd.(1)Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd(636)Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD(417)Wuxi Unigroup Microelectronics Company(19)Wuxi Youda electronics Co.,LTD(4)XFMRS Inc.(10)Xiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd(2)Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.(273)Xilinx, Inc(2)YAMAHA CORPORATION(2)Yangzhou yangjie electronic co., ltd(128)Yea Shin Technology Co., Ltd(1)YOBON TECHNOLOGIES,INC.(1)Z-Communications, Inc(5)Zarlink Semiconductor Inc(58)Zentrum Mikroelektronik Dresden AG(2)Zetex Semiconductors(273)Zhaoxingwei Electronics ., Ltd(8)Zibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd(14)ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG(2)Zilog, Inc.(1)ZP Semiconductor(143)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 5663 (1/284) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Vishay Siliconix
2N5432 Datasheet pdf image
44Kb/5P
N-Channel JFETs
Rev. F, 04-Jun-01
2N4338 Datasheet pdf image
56Kb/6P
N-Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
2N4416 Datasheet pdf image
103Kb/7P
N-Channel JFETs
Rev. H, 24-Jan-05
J107-E3 Datasheet pdf image
64Kb/6P
N-Channel JFETs
Rev. D, 04-Jun-01
SST4416-E3 Datasheet pdf image
57Kb/7P
N-Channel JFETs
Rev. F, 04-Jun-01
2N5484 Datasheet pdf image
108Kb/8P
N-Channel JFETs
Rev. G, 24-Jan-05
SST4117A Datasheet pdf image
74Kb/6P
N-Channel JFETs
18-Jul-08
2N5484 Datasheet pdf image
55Kb/7P
N-Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
SST309-T1 Datasheet pdf image
102Kb/8P
N-Channel JFETs
Rev. H, 24-Jan-05
SST108-T1-E3 Datasheet pdf image
56Kb/6P
N–Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
SST202-T1-E3 Datasheet pdf image
83Kb/6P
N-Channel JFETs
Rev. G, 15-Mar-04
JSST108 Datasheet pdf image
73Kb/6P
N-Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
SST Datasheet pdf image
91Kb/7P
N-Channel JFETs
Rev. H, 24-Jan-05
U290 Datasheet pdf image
71Kb/5P
N-Channel JFETs
Rev. A, 07-Jun-04
2N4338 Datasheet pdf image
92Kb/7P
N-Channel JFETs
18-Jul-08
2N4117A Datasheet pdf image
61Kb/5P
N-Channel JFETs
Rev. G, 28-Jun-04
SST112-T1-E3 Datasheet pdf image
58Kb/6P
N-Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
J308 Datasheet pdf image
74Kb/7P
N-Channel JFETs
Rev. G, 04-Jun-01
SST112 Datasheet pdf image
45Kb/5P
N-Channel JFETs
Rev. E, 04-Jun-01
J201 Datasheet pdf image
71Kb/5P
N-Channel JFETs
Rev. G, 15-Mar-04

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com