Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

Fairchild Semiconductor(3621)Faraday Technology(3)FCI connector(7)Feeling Technology Corp.(3)FETek Technology Corp.(481)FIBOX Enclosing innovations(2)FIDELIX(1)Filtran LTD(3)Filtronic Compound Semiconductors(1)Finisar Corporation.(6)First Components International(60)First Silicon Co., Ltd(387)Fitipower Integrated Technology Inc.(6)Formosa MS(9)Fortune Semiconductor Corp.(7)Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.(161)FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD(2)Fox Electronics(4)Freescale Semiconductor, Inc(223)Frequency Devices, Inc.(11)Frontier Electronics.(1)FSP TECHNOLOGY INC.(5)Fuji Electric(649)Fujitsu Component Limited.(42)Future Technology Devices International Ltd.(6)FutureWafer Tech Co.,Ltd(11)Fuzetec Technology Co., Ltd.(1)Gamewell-FCI by Honeywell(1)Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd.(1)GE Solid State(10)General Semiconductor(25)Generalplus Technology Inc.(24)GeneSiC Semiconductor, Inc.(36)Gennum Corporation(6)Glenair, Inc.(24)Global Mixed-mode Technology Inc(27)Golledge Electronics Ltd(1)Good Will Instrument Co., Ltd.(1)GOOD-ARK Electronics(389)GPB International Limited.(1)Grayhill, Inc(6)Grenergy Opto, lnc.(4)Greystone Energy Systems Inc.(3)GTM CORPORATION(366)GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD.(11)Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd(1162)GuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd(1)Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.(274)Guerrilla RF, Inc.(1)Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.(12)Gunter Seniconductor GmbH.(71)HALO Electronics, Inc.(6)Hamamatsu Corporation(2)HAMLIN Position and Movement Sensor Solutions(1)Harris Corporation(29)Hi-Sincerity Mocroelectronics(54)Hirose Electric(4)Hitachi Metals, Ltd(3)Hitachi Semiconductor(522)HITRON ELECTRONICS CORPORTION(5)Hittite Microwave Corporation(76)Holt Integrated Circuits(23)Holtek Semiconductor Inc(20)Honeywell Solid State Electronics Center(3)HOOYI SEMICONDUCTOR(1)HTC Korea TAEJIN Technology Co.(3)HUAJING MICROELECTRONICS(9)HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.(150)Huber+Suhner, Inc.(296)HY ELECTRONIC CORP.(40)Hynix Semiconductor(1)IC-Haus GmbH(22)Icemos Technology(43)IK Semicon Co., Ltd(2)Inchange Semiconductor Company Limited(10943)Infineon Technologies AG(491)Insel Rectifier India Pvt. Ltd.(1)Integral Corp.(2)Integrated Circuit Systems(7)Integrated Device Technology(113)Integrated Silicon Solution, Inc(22)Intel Corporation(2)InterFET Corporation(97)International Rectifier(335)Intersil Corporation(873)Intronics Power, Inc.(2)Inventronics Inc.(14)IOGEAR(1)IRC - a TT electronics Company.(2)Isabellenhütte Heusler GmbH & Co. KG(1)Isahaya Electronics Corporation(35)ISOCOM COMPONENTS(3)ITT Industries(4)IXYS Corporation(523)Japan Aviation Electronics Industry, Ltd.(1)JDS Uniphase Corporation(17)Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd(218)Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd(117)Jiaxing Heroic Technology Co.,Ltd.(5)JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.(80)Jingjing Microelectronics Co., Ltd(6)JMK Inc.(1)JSC ALFA.(2)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 223 (1/12) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Freescale Semiconductor...
MRF6V2150N Datasheet pdf image
205Kb/8P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9125NR1 Datasheet pdf image
598Kb/18P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HR3 Datasheet pdf image
399Kb/12P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S9100NR1 Datasheet pdf image
442Kb/12P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N Datasheet pdf image
208Kb/8P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S4125NR1 Datasheet pdf image
524Kb/15P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S4140HR3 Datasheet pdf image
928Kb/20P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38040HR3 Datasheet pdf image
516Kb/15P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9200LR3 Datasheet pdf image
775Kb/12P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S27085HR3 Datasheet pdf image
358Kb/12P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRFE6S9135HR3 Datasheet pdf image
447Kb/12P
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9582NT1 Datasheet pdf image
288Kb/8P
Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
AFT21S230SR3 Datasheet pdf image
559Kb/15P
RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF6P9220HR3 Datasheet pdf image
437Kb/12P
880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF9200LR3 Datasheet pdf image
458Kb/12P
880 MHz, 40 W AVG. 26 V SINGLE N-CDMA N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HR3 Datasheet pdf image
670Kb/15P
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19100NR1 Datasheet pdf image
533Kb/15P
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR3 Datasheet pdf image
406Kb/13P
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150NR1 Datasheet pdf image
517Kb/13P
RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18030BLR3 Datasheet pdf image
351Kb/8P
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


1 2 3 4 5 > >>



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com