Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



N-CHANNEL Arkusz danych, PDF

KEC(Korea Electronics)(311)Kemet Corporation(217)Kersemi Electronic Co., Ltd.(304)Keysight Technologies(32)KIA Semiconductor Technology(132)Kinetic Technologies.(18)Kingbor Technology Co(1)KISTLER INSTRUMENT CORPORATION(6)KODENSHI_AUK CORP.(98)KR Electronics, Inc.(2)Laird Tech Smart Technology(22)LANSDALE Semiconductor Inc.(2)LAPIS Semiconductor Co., Ltd.(4)Lapp.(2)Lattice Semiconductor(1)LDT Co., Ltd(8)Leadtrend Technology(2)Leshan Radio Company(258)Level One(19)Linear Dimensions Semiconductor(9)Linear Integrated Systems(71)Linear Technology(287)Linkage Goston Electronics Co., LTD(25)Linx Technologies(31)List of Unclassifed Manufacturers(229)List of Unclassifed Manufacturers(325)Lite-On Technology Corporation(4)Littelfuse(21)LOGIC Devices Incorporated(2)Lowpower Semiconductor inc(36)LSI Computer Systems(3)LUMEX INC.(18)M-System Co.,Ltd.(31)M.S. Kennedy Corporation(9)M/A-COM Technology Solutions, Inc.(16)MacMic(6)MagnaChip Semiconductor.(297)Magnetrol International, Inc.(8)Major-Power Technology Co., LTD.(2)Mallory Sonalert Products Inc(2)Marathon Special Products(2)Marktech Corporate(18)Maxim Integrated Products(626)Maxwell Technologies(5)Mean Well Enterprises Co., Ltd.(9)Meder Electronic(2)Melexis Microelectronic Systems(8)Micrel Semiconductor(78)Micro Commercial Components(120)Micro Electronics(7)Micro Linear Corporation(3)Microchip Technology(195)Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.(2)Micron Technology(1)Micropac Industries(28)MicroPower Direct, LLC(11)Microsemi Corporation(311)Micross Components(572)Mini-Circuits(38)Minilogic Device Corporation Limited(2)Mitel Networks Corporation(7)Mitsubishi Electric Semiconductor(37)Mitsumi Electronics, Corp.(1)Molex Electronics Ltd.(86)Molex Electronics Ltd.(36)Molex Electronics Ltd.(1)Molex Electronics Ltd.(8)Molex Electronics Ltd.(3)Molex Electronics Ltd.(42)Molex Electronics Ltd.(4)Molex Electronics Ltd.(5)Molex Electronics Ltd.(85)Monolithic Power Systems(64)MORE Semiconductor Company Limited(222)MORNSUN Science& Technology Ltd.(5)MOSA ELECTRONICS(9)MOSDESIGN SEMICONDUCTOR CORP(2)Mospec Semiconductor(1)Motorola, Inc(161)Moxa Inc.(12)MPS Industries, Inc.(2)MRV Communications, Inc.(6)MTRONPTI(1)MultiDimension Technology Co.,Ltd.(4)Murata Manufacturing Co., Ltd(1)Murata Manufacturing Co., Ltd.(7)Murata Power Solutions Inc.(2)MUSIC Semiconductors(1)MY-SEMI INC.(9)Nais(Matsushita Electric Works)(20)Nanjing International Group Co(31)Nanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd.(2)National Instruments Corporation(37)National Semiconductor (TI)(225)NEC(653)Nell Semiconductor Co., Ltd(56)Neotec Semiconductor Ltd.(1)Neutrik AG(2)New Japan Radio(29)New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.(350)Nexperia B.V. All rights reserved(1669)NHP Electrical Engineering Products(15)NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.(546)Nippon Precision Circuits Inc(23)NTE Electronics(152)Nuvotem Talema(1)Nuvoton Technology Corporation(21)NXP Semiconductors(1243)NXP Semiconductors(788)OKI electronic componets(24)Omron Electronics LLC(5)ON Semiconductor(2545)OPLINK Communications Inc.(54)OPTEK Technologies(7)ORing Industrial Networking Corp(26)OSRAM GmbH(1)Oxford Semiconductor(3)
More
Szukane słowo kluczowe : 'N-CHANNEL' - wyników: 21 (1/2) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Littelfuse
LSIC1MO170E0750 Datasheet pdf image
515Kb/10P
1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET
12/14/2020
LGB8206ATI Datasheet pdf image
443Kb/9P
350 V, 20 A N-Channel Ignition IGBT
4/27/2020
LGD8209TI Datasheet pdf image
323Kb/7P
410 V, 12 A N-Channel Ignition IGBT
2/22/2021
LGB8204ATH Datasheet pdf image
472Kb/10P
400 V, 18 A N-Channel Ignition IGBT
3/16/2020
LSIC1MO120G0025 Datasheet pdf image
415Kb/10P
1200 V, 25 mOhm N-Channel SiC MOSFET
2/8/2021
LSIC1MO120G0120 Datasheet pdf image
528Kb/10P
1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET
12/16/2020
LSIC1MO120E0080 Datasheet pdf image
898Kb/8P
LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
LSIC1MO120E0120 Datasheet pdf image
915Kb/8P
LSIC1MO120E0120 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
LSIC1MO120E0160 Datasheet pdf image
943Kb/8P
LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
460-15-100-SLD Datasheet pdf image
239Kb/2P
Single-Channel Seal-Leak Detector
2016 Rev: 1-A-092916
201-100-SLD Datasheet pdf image
567Kb/1P
Single-Channel Seal-Leak Detector
2016 Rev: 1-A-062816
ISS-100 Datasheet pdf image
195Kb/1P
Single-Channel Intrinsically Safe Switch
2016 Rev: 1-A-062116
ISS-102 Datasheet pdf image
234Kb/2P
Two-Channel Intrinsically Safe Switch
2016 Rev: 1-A-062116
ISS-105 Datasheet pdf image
284Kb/2P
Five-Channel Intrinsically Safe Switch
2017 Rev: 1-B-050517
460-15-100-LLS Datasheet pdf image
201Kb/2P
Single-Channel Liquid Level Sensor
2019 Rev: 2-B-043019
ISS-101 Datasheet pdf image
221Kb/2P
Single-channel intrinsically safe switch
2016 Rev: 1-A-062716
SP3222 Datasheet pdf image
959Kb/5P
SP3222 0.9pF 30kV dual channel TVS
2020 Littelfuse, Inc.
SP5003 Datasheet pdf image
627Kb/4P
SP5003 Series 4 Channel Common Mode Filter
SE-145 Datasheet pdf image
2Mb/1P
The SE-145 is a three-channel
IXTN210P10T Datasheet pdf image
226Kb/7P
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC

1 2 >


1 2 >



Co to jest N-CHANNEL


N-kanał jest rodzajem MOSFET (tranzystor pola-semiconductor-semiconductor), który ma kanał domieszkowany materiałem typu N.

W MOSFET w kanale N przepływ prądu jest kontrolowany przez cienką warstwę tlenku metalu, która działa jak brama, która jest izolowana od reszty urządzenia przez cienką warstwę izolacyjną.

Po przyłożeniu dodatnie napięcia do bramy tworzy pole elektryczne, które przyciąga elektronę do bramy i tworzy kanał między zaciskami źródłowymi i spustowymi.

Kanał ten pozwala przepływać prąd między zaciskami źródłowymi i drenażowymi, a szerokość kanału jest określana przez napięcie przyłożone do bramy.

MOSFET N-Kanałów N są szeroko stosowane w różnych zastosowaniach, w tym zasilacze, napędy silnikowe i falowniki, ze względu na ich wysoką impedancję wejściową, niską oporność na stan, szybkie prędkości przełączania i wysoka wydajność.

Jednak MOSFETS N-kanałów mają również pewne wady, takie jak ograniczona ocena napięcia i potrzeba sterowania urządzeniem. Dodatkowo są one podatne na ucieczkę termiczną, co może spowodować awarię urządzenia, jeśli przegrzeje się.

Aby ograniczyć to ryzyko, MOSFET w kanale N są często stosowane w połączeniu z innymi komponentami, takimi jak urządzenia ochrony termicznej lub obwody snubbera.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com