TRENCH Datasheet(PDF) - CM200DU-12F - Powerex Power Semiconductors

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

TRENCH Arkusz danych, PDF

: PACELEADER INDUSTRIAL(10)Pan Jit International Inc.(1)Powerex Power Semiconductors(34)Powersem GmbH(9)Rectron Semiconductor(9)Renesas Technology Corp(20)Rohm(93)SamHop Microelectronics Corp.(5)Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd(2)Sanken electric(139)Schneider Electric(10)SeCoS Halbleitertechnologie GmbH(62)SemiHow Co.,Ltd.(56)Semikron International(386)Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd(51)Shanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.(1)SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.(1578)Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.(1)SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.(8)Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd(84)Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd(5)Shenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd(4)Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd(6)SHIKUES Electronics(7)Silikron Semiconductor Co.,LTD.(78)Sirectifier Semiconductors(1)Solid States Devices, Inc(10)Stanson Technology(42)STMicroelectronics(143)SYNC POWER Crop.(2)Taiwan Semiconductor Company, Ltd(114)TECH PUBLIC Electronics co LTD(2)Thinki Semiconductor Co., Ltd.(46)Toshiba Semiconductor(1)
: More Close

Szukane słowo kluczowe : 'TRENCH' - wyników: 34 (1/2) Pages

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Powerex Power Semicondu...	CM200DU-12F	171Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD?
	CM100TJ-12F	101Kb/4P	Trench Gate Design 100 Amperes/600 Volts
	CM50DU-24F	104Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??50 Amperes/1200 Volts
	CM50TU-24F	127Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??50 Amperes/1200 Volts
	CM600HU-24F	98Kb/4P	Trench Gate Design Single IGBTMOD??600 Amperes/1200 Volts
	CM75TU-24F	127Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??75 Amperes/1200 Volts
	CM75DU-24F	107Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??75 Amperes/1200 Volts
	CM75TJ-24F	100Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??75 Amperes/1200 Volts
	CM150DU-24F	93Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??150 Amperes/1200 Volts
	CM200DU-24F	66Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??200 Amperes/1200 Volts
	CM50TJ-24F	100Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??50 Amperes/1200 Volts
	CM150TJ-12F	71Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??150 Amperes/600 Volts
	CM400HU-24F	101Kb/4P	Trench Gate Design Single IGBTMOD??400 Amperes/1200 Volts
	CM100DU-12F	115Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??100 Amperes/600 Volts
	CM600HA-5F	52Kb/4P	Trench Gate Design Single IGBTMOD??600 Amperes/250 Volts
	CM200TU-12F	128Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??200 Amperes/600 Volts
	CM400DU-12F	67Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??400 Amperes/600 Volts
	CM100DU-24F	104Kb/4P	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??100 Amperes/1200 Volts
	CM100TJ-24F	100Kb/4P	Trench Gate Design Six IGBTMOD??100 Amperes/1200 Volts
	CM600HU-12F	101Kb/4P	Trench Gate Design Single IGBTMOD??600 Amperes/600 Volts

1 2 >

1 2 >

Co to jest TRENCH

„Trench” jest jedną z technologii produkcji komponentów elektronicznych i jest wykorzystywany w procesie tworzenia urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia Trench to technologia opracowana w celu poprawy wydajności elektrycznej urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia wykopów przeprojektowuje strukturę urządzeń półprzewodników w celu poprawy wytwarzania ciepła urządzenia i degradacji wydajności.

Dzięki technologii wykopu małej jamy (wykop) można wykopać w urządzeniu półprzewodnikowym, aby zwiększyć powierzchnię urządzenia.

Poprawia to wydajność elektryczną, ponieważ ścieżka, przez którą przepływa prąd jest krótsza.

Technologia wykopu jest stosowana przede wszystkim w wysokowydajnych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFETS (tranzystory efektu pola półprzewodnikowego tlenku metalu).

Te urządzenia półprzewodnikowe są używane w szybkich obwodach elektronicznych, urządzeniach do konwersji zasilania i urządzeniach sterujących samochodowymi.

Technologia wykopu odgrywa bardzo ważną rolę we współczesnym przemyśle komponentów elektronicznych, ponieważ poprawia wydajność i wydajność urządzenia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Polityka prywatności

ALLDATASHEET.PL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com