Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



TRENCH Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'TRENCH' - wyników: 84 (1/5) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Shenzhen Huazhimei Semi...
HM4030D Datasheet pdf image
850Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM1607D Datasheet pdf image
874Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM4030 Datasheet pdf image
410Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM1607 Datasheet pdf image
661Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N88 Datasheet pdf image
426Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N78 Datasheet pdf image
588Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N75D Datasheet pdf image
657Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N90D Datasheet pdf image
681Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N75 Datasheet pdf image
515Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM90N06D Datasheet pdf image
634Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM90N07K Datasheet pdf image
917Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HM70N80A Datasheet pdf image
581Kb/6P
N-Channel Trench Power MOSFET
HMS60N10D Datasheet pdf image
556Kb/7P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMS90N06 Datasheet pdf image
324Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMS120N04D Datasheet pdf image
317Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMS200N04D Datasheet pdf image
470Kb/5P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMG40N60T Datasheet pdf image
1Mb/6P
600V, 40A, Trench FS II IGBT
HMS4296 Datasheet pdf image
558Kb/7P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMS170N03D Datasheet pdf image
626Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET
HMS120N03D Datasheet pdf image
579Kb/6P
N-Channel Super Trench Power MOSFET

1 2 3 4 5 >


1 2 3 4 5 >



Co to jest TRENCH


„Trench” jest jedną z technologii produkcji komponentów elektronicznych i jest wykorzystywany w procesie tworzenia urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia Trench to technologia opracowana w celu poprawy wydajności elektrycznej urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia wykopów przeprojektowuje strukturę urządzeń półprzewodników w celu poprawy wytwarzania ciepła urządzenia i degradacji wydajności.

Dzięki technologii wykopu małej jamy (wykop) można wykopać w urządzeniu półprzewodnikowym, aby zwiększyć powierzchnię urządzenia.

Poprawia to wydajność elektryczną, ponieważ ścieżka, przez którą przepływa prąd jest krótsza.

Technologia wykopu jest stosowana przede wszystkim w wysokowydajnych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFETS (tranzystory efektu pola półprzewodnikowego tlenku metalu).

Te urządzenia półprzewodnikowe są używane w szybkich obwodach elektronicznych, urządzeniach do konwersji zasilania i urządzeniach sterujących samochodowymi.

Technologia wykopu odgrywa bardzo ważną rolę we współczesnym przemyśle komponentów elektronicznych, ponieważ poprawia wydajność i wydajność urządzenia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com