Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



TRENCH Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'TRENCH' - wyników: 18 (1/1) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Compact Technology Corp...
S30U100CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S20U100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40L100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40U100FCT Datasheet pdf image
608Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40U100CT Datasheet pdf image
489Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U100FCT Datasheet pdf image
601Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U100CT Datasheet pdf image
482Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S20U100CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S30U100FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S40L100CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Trench MOS Schottky Rectifier
S10U150CT Datasheet pdf image
484Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U150CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S30U150CT Datasheet pdf image
489Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S10U150FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U150FCT Datasheet pdf image
604Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S30U150FCT Datasheet pdf image
608Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U200CT Datasheet pdf image
485Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky
S20U200FCT Datasheet pdf image
603Kb/2P
Extreme Low VF Trench MOS Schottky

1


1



Co to jest TRENCH


„Trench” jest jedną z technologii produkcji komponentów elektronicznych i jest wykorzystywany w procesie tworzenia urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia Trench to technologia opracowana w celu poprawy wydajności elektrycznej urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia wykopów przeprojektowuje strukturę urządzeń półprzewodników w celu poprawy wytwarzania ciepła urządzenia i degradacji wydajności.

Dzięki technologii wykopu małej jamy (wykop) można wykopać w urządzeniu półprzewodnikowym, aby zwiększyć powierzchnię urządzenia.

Poprawia to wydajność elektryczną, ponieważ ścieżka, przez którą przepływa prąd jest krótsza.

Technologia wykopu jest stosowana przede wszystkim w wysokowydajnych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFETS (tranzystory efektu pola półprzewodnikowego tlenku metalu).

Te urządzenia półprzewodnikowe są używane w szybkich obwodach elektronicznych, urządzeniach do konwersji zasilania i urządzeniach sterujących samochodowymi.

Technologia wykopu odgrywa bardzo ważną rolę we współczesnym przemyśle komponentów elektronicznych, ponieważ poprawia wydajność i wydajność urządzenia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com