Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



TRENCH Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'TRENCH' - wyników: 8523 (7/427) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX151GAR12E4S Datasheet pdf image
458Kb/5P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
International Rectifier
IRG7IC28UPBF Datasheet pdf image
287Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
09/02/2010
Company Logo Img
Guangdong Kexin Industr...
AO4611 Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4613-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4614A Datasheet pdf image
2Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4614B Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4616-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4622 Datasheet pdf image
1Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO4627-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
AO6604-HF Datasheet pdf image
4Mb/7P
Complementary Trench MOSFET
Company Logo Img
International Rectifier
IRG7R313UPBF Datasheet pdf image
242Kb/8P
PDP TRENCH IGBT
3/31/10
IRGP4065DPBF Datasheet pdf image
344Kb/7P
PDP TRENCH IGBT
Company Logo Img
Semikron International
SKM400GB126D Datasheet pdf image
599Kb/6P
Trench IGBT Module
SKM800GA126D Datasheet pdf image
603Kb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX251GD126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX253GB126HDS Datasheet pdf image
1Mb/4P
Trench IGBT Modules
SEMIX703GB126HD Datasheet pdf image
942Kb/4P
Trench IGBT Modules
SKM200GB123D Datasheet pdf image
647Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM800GA126D Datasheet pdf image
597Kb/6P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
Guangdong Kexin Industr...
AO6601-HF Datasheet pdf image
3Mb/7P
Complementary Trench MOSFET

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Co to jest TRENCH


„Trench” jest jedną z technologii produkcji komponentów elektronicznych i jest wykorzystywany w procesie tworzenia urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia Trench to technologia opracowana w celu poprawy wydajności elektrycznej urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia wykopów przeprojektowuje strukturę urządzeń półprzewodników w celu poprawy wytwarzania ciepła urządzenia i degradacji wydajności.

Dzięki technologii wykopu małej jamy (wykop) można wykopać w urządzeniu półprzewodnikowym, aby zwiększyć powierzchnię urządzenia.

Poprawia to wydajność elektryczną, ponieważ ścieżka, przez którą przepływa prąd jest krótsza.

Technologia wykopu jest stosowana przede wszystkim w wysokowydajnych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFETS (tranzystory efektu pola półprzewodnikowego tlenku metalu).

Te urządzenia półprzewodnikowe są używane w szybkich obwodach elektronicznych, urządzeniach do konwersji zasilania i urządzeniach sterujących samochodowymi.

Technologia wykopu odgrywa bardzo ważną rolę we współczesnym przemyśle komponentów elektronicznych, ponieważ poprawia wydajność i wydajność urządzenia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com