Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  



TRENCH Arkusz danych, PDF

Szukane słowo kluczowe : 'TRENCH' - wyników: 8523 (8/427) Pages
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
Company Logo Img
Taiwan Semiconductor Co...
TSD20H100CW Datasheet pdf image
255Kb/5P
Trench Schottky Rectifier
TSF30H60C Datasheet pdf image
244Kb/4P
Trench Schottky Rectifier
TSP8A100S Datasheet pdf image
228Kb/4P
Trench Schottky Rectifier
Company Logo Img
Semikron International
SKM200GAL176D Datasheet pdf image
710Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM600GAL126D Datasheet pdf image
434Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM145GAL176D Datasheet pdf image
971Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM200GB126D Datasheet pdf image
426Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM300GARL066T Datasheet pdf image
440Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM400GB07E3 Datasheet pdf image
316Kb/6P
Trench IGBT Modules
Company Logo Img
ZP Semiconductor
NTR4101P Datasheet pdf image
232Kb/2P
Trench Power MOSFET
Company Logo Img
ON Semiconductor
NTJS3151P Datasheet pdf image
73Kb/5P
Trench Power MOSFET
June, 2016 ??Rev. 4
Company Logo Img
Microdiode Electronics ...
ST540L Datasheet pdf image
184Kb/2P
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Company Logo Img
Semikron International
SEMIX453GD12E4C Datasheet pdf image
375Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM150MLI066T Datasheet pdf image
213Kb/3P
Trench IGBT Modules
SEMIX452GAL126HDS Datasheet pdf image
399Kb/5P
Trench IGBT Modules
SEMIX604GB176HDS Datasheet pdf image
684Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM200GB176D Datasheet pdf image
706Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKIM609GAR12E4 Datasheet pdf image
345Kb/5P
Trench IGBT Modules
SKM400GB066D Datasheet pdf image
861Kb/6P
Trench IGBT Modules
SKM600GB066D Datasheet pdf image
936Kb/6P
Trench IGBT Modules

< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>


<< < 6 7 8 9 10 > >>



Co to jest TRENCH


„Trench” jest jedną z technologii produkcji komponentów elektronicznych i jest wykorzystywany w procesie tworzenia urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia Trench to technologia opracowana w celu poprawy wydajności elektrycznej urządzeń półprzewodnikowych.

Technologia wykopów przeprojektowuje strukturę urządzeń półprzewodników w celu poprawy wytwarzania ciepła urządzenia i degradacji wydajności.

Dzięki technologii wykopu małej jamy (wykop) można wykopać w urządzeniu półprzewodnikowym, aby zwiększyć powierzchnię urządzenia.

Poprawia to wydajność elektryczną, ponieważ ścieżka, przez którą przepływa prąd jest krótsza.

Technologia wykopu jest stosowana przede wszystkim w wysokowydajnych urządzeniach półprzewodnikowych, takich jak MOSFETS (tranzystory efektu pola półprzewodnikowego tlenku metalu).

Te urządzenia półprzewodnikowe są używane w szybkich obwodach elektronicznych, urządzeniach do konwersji zasilania i urządzeniach sterujących samochodowymi.

Technologia wykopu odgrywa bardzo ważną rolę we współczesnym przemyśle komponentów elektronicznych, ponieważ poprawia wydajność i wydajność urządzenia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.


Link URL :

Polityka prywatności
ALLDATASHEET.PL
Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com